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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 半导体价带顶和能带间隙计算？
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sss3012

银虫 (正式写手)

[求助] 半导体价带顶和能带间隙计算？

近来看了一些文献发现，半导体的能带间隙通过，[E(1)-E(0)]-[E(0)-E(-1)]获得，其中E(Q)表示体系带Q电荷的总能。而价带顶通常通过)[E(0)-E(-1)]获得。另一种方法是用CASTEP计算，通过查看带结构计算的数据，找到价带顶和导带底，从而获得能带间隙。我发现两种方法得到数据有一定差异，例如利用第一种方法计算ZnO带隙是0.96eV,这确实和文献的结果一致，但用第二种方法得到能带间隙为0.8eV.两种方法得到价带顶也差1eV,我搞不懂这是为啥？期待高手给我指点迷津，谢谢！
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1楼 2011-11-12 09:44:25
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liuchangzzw

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流 2011-11-12 10:09:15
基于密度泛函理论建立的计算软件，计算带隙时会比实际值偏小
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2楼2011-11-12 09:59:38
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sss3012

银虫 (正式写手)
这不是我想要知道的，朋友
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3楼2011-11-12 11:36:50
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fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-11-12 15:12:28
sss3012(金币+5): 2011-11-12 16:00:40
“两种方法得到价带顶也差1eV,我搞不懂这是为啥？”

比较两种方法的价带顶的能量绝对值没有意义

其二，castep能带计算的gap等于0.8跟实验值0.9（？）相比算是很好的结果了。（注：不但要从能带图上看gap，严格点来说从能量本征值里面读取再作差）
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4楼2011-11-12 14:33:01
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alvin510

银虫 (小有名气)
计算能带结构时是否考虑加入了电子自旋啊？
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5楼2011-11-13 00:10:10
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windowtt

铜虫 (小有名气)
★ ★
franch(金币+2): 鼓励交流 2011-11-14 17:56:07
注：不但要从能带图上看gap，严格点来说从能量本征值里面读取再作差

能带图的gap与本征值得到的gap会有什么不同呢？

另外，我也有个疑惑就是在计算一个材料时从DOS里看有gap，从band-str里看存在能级cross没有gap，怎么来理解呢？
还是因为没有从本征值来看的原因？
那么，DOS与band-str中读取的gap为何会有不同呢？
本征值如何读取，请指教～
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6楼2011-11-14 10:52:13
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1882070224

铁杆木虫 (正式写手)
我也想知道是怎么回事。高手回答啊。顶你的问题。
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时时刻刻都要坚持学习！
7楼2011-12-12 01:09:57
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shulai

铁虫 (初入文坛)
★ ★
franch(金币+2): 谢谢回帖交流 2011-12-13 09:50:28
引用回帖:
6楼: Originally posted by windowtt at 2011-11-14 10:52:13:
注：不但要从能带图上看gap，严格点来说从能量本征值里面读取再作差

能带图的gap与本征值得到的gap会有什么不同呢？

另外，我也有个疑惑就是在计算一个材料时从DOS里看有gap，从band-str里看存在能级cross没 ...

本征值在 EIGENVAL文件中，呵呵
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8楼2011-12-12 11:11:12
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sss3012

银虫 (正式写手)
如何能得到EIGENVAL文件？
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9楼2012-01-12 10:56:43
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liliangfang

荣誉版主 (著名写手)
★
WDD880227(金币+1): 感谢交流 2012-01-12 21:54:58
引用回帖:
9楼: Originally posted by sss3012 at 2012-01-12 10:56:43:
如何能得到EIGENVAL文件？

http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4036379&authorid=1275010
见二楼
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10楼2012-01-12 12:02:21
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