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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 半导体价带顶和能带间隙计算？
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sss3012

银虫 (正式写手)

[求助] 半导体价带顶和能带间隙计算？

近来看了一些文献发现，半导体的能带间隙通过，[E(1)-E(0)]-[E(0)-E(-1)]获得，其中E(Q)表示体系带Q电荷的总能。而价带顶通常通过)[E(0)-E(-1)]获得。另一种方法是用CASTEP计算，通过查看带结构计算的数据，找到价带顶和导带底，从而获得能带间隙。我发现两种方法得到数据有一定差异，例如利用第一种方法计算ZnO带隙是0.96eV,这确实和文献的结果一致，但用第二种方法得到能带间隙为0.8eV.两种方法得到价带顶也差1eV,我搞不懂这是为啥？期待高手给我指点迷津，谢谢！
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1楼 2011-11-12 09:44:25
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alvin510

银虫 (小有名气)
计算能带结构时是否考虑加入了电子自旋啊？
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5楼2011-11-13 00:10:10
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liuchangzzw

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流 2011-11-12 10:09:15
基于密度泛函理论建立的计算软件，计算带隙时会比实际值偏小
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2楼2011-11-12 09:59:38
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sss3012

银虫 (正式写手)
这不是我想要知道的，朋友
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3楼2011-11-12 11:36:50
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fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-11-12 15:12:28
sss3012(金币+5): 2011-11-12 16:00:40
“两种方法得到价带顶也差1eV,我搞不懂这是为啥？”

比较两种方法的价带顶的能量绝对值没有意义

其二，castep能带计算的gap等于0.8跟实验值0.9（？）相比算是很好的结果了。（注：不但要从能带图上看gap，严格点来说从能量本征值里面读取再作差）
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4楼2011-11-12 14:33:01
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