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半导体价带顶和能带间隙计算？
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| 近来看了一些文献发现，半导体的能带间隙通过，[E(1)-E(0)]-[E(0)-E(-1)]获得，其中E(Q)表示体系带Q电荷的总能。而价带顶通常通过)[E(0)-E(-1)]获得。另一种方法是用CASTEP计算，通过查看带结构计算的数据，找到价带顶和导带底，从而获得能带间隙。我发现两种方法得到数据有一定差异，例如利用第一种方法计算ZnO带隙是0.96eV,这确实和文献的结果一致，但用第二种方法得到能带间隙为0.8eV.两种方法得到价带顶也差1eV,我搞不懂这是为啥？期待高手给我指点迷津，谢谢！ |
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