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【求助】如何计算半导体带边？
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13楼2014-06-12 10:44:35
2楼2011-04-17 19:59:24
3楼2011-04-17 20:28:59
4楼2011-04-17 22:34:46
6楼2011-12-09 11:29:58
7楼2012-04-27 22:00:08
8楼2012-04-29 13:56:50
9楼2012-04-29 22:55:59
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fzx2008: 金币+1, 鼓励交流 2012-10-03 22:22:19
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fzx2008: 金币+1, 鼓励交流 2012-10-03 22:22:19
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E(CB)=X-Ec-0.5Eg E(VB)=E(CB)+Eg 这是估算公式 其中X is the absolute electronegativity of the atom semicon- ductor, expressed as the geometric mean of the absolute electro- negativity of the constituent atoms 也就是说是组分原子的几何平均电负性 Ec is the energy of free electrons of the hydrogen scale (4.5 eV) 就是说Ec为定值4.5eV Eg为带隙，可以从固体紫外中估算出来或者查出来，文献中AgBr的E(CB)=0eV E(VB)=2.6eV 我算了下就是X值为5.8 Ag的电负性值为1.93 Br为1.9 请问是怎么算出来的？ |
10楼2012-10-03 21:22:36
11楼2013-05-16 12:08:11
，麻烦你了 12楼2013-05-25 20:41:00
★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
franch: 金币+3, 谢谢回帖交流。。。 2014-10-27 19:59:04
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
franch: 金币+3, 谢谢回帖交流。。。 2014-10-27 19:59:04
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嗯 这个电负性要根据密立根电负性理论计算的 http://en.wikipedia.org/wiki/Electronegativity |
14楼2014-10-27 09:44:17
简单回复
2011-04-17 22:43
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目光之城(金币+1): 2011-04-18 08:25:35
