|
|
[求助]
半导体价带顶和能带间隙计算？
|
近来看了一些文献发现，半导体的能带间隙通过，[E(1)-E(0)]-[E(0)-E(-1)]获得，其中E(Q)表示体系带Q电荷的总能。而价带顶通常通过)[E(0)-E(-1)]获得。另一种方法是用CASTEP计算，通过查看带结构计算的数据，找到价带顶和导带底，从而获得能带间隙。我发现两种方法得到数据有一定差异，例如利用第一种方法计算ZnO带隙是0.96eV,这确实和文献的结果一致，但用第二种方法得到能带间隙为0.8eV.两种方法得到价带顶也差1eV,我搞不懂这是为啥？期待高手给我指点迷津，谢谢！ |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
» 猜你喜欢
OpenAI又攻克数学难题了，离AI做有机合成还有多远？
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有10人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有9人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有7人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有9人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有8人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有7人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有8人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
|
回复此楼
