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limin2007铁杆木虫 (著名写手)
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【求助】掺杂后带隙的问题 已有16人参与
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有两个问题请教大家： 1.掺杂后，能带怎么确定？比如文献上说掺杂后带隙减小的情况，导带底和价带顶的位置如何确定呢？掺杂后价带顶位置有些杂化，我不知道该怎么确定价带顶的位置了。 2.在态密度图形里面如何看带隙，我今天在一篇文献上看到带隙是这么标注的，不明白为什么会是这样？我贴上图形大家帮我分析一下好吗？谢谢了。  |
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zzy870720z(金币+3): 谢谢讨论 2011-03-30 16:47:04
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这个我清楚，实际制造出来的半导体是有缺陷的。但这里你并没回答楼主的问题。理论上可以计算perfect的半导体。楼主的TiO2之图是计算得出出来的，既然是计算出来的话，这就是perfect，而不是有缺陷存在的DOS。那么这里的VBM处的DOS和CBM的DOS接近于0(这是由于计算中的smearing原因），能带计算可看出带隙。这里看VBM和CBM 与费米能级没有关系。只需要band structure计算。 所以楼主，你要做能带计算得出带隙。 楼主说的掺杂影响带隙，这是掺杂很高的情况。因为浓度很高，杂质与杂质会相互作用，这也会形成能带，导致在原来的本征半导体的CBM和VBM附近出现杂质能带，而导致能带变窄。如果掺杂浓度极低，杂质一般在带隙中导致一个缺陷态能级，不影响带隙。若楼主考虑的是前者（浓度高），就需要做能带计算确定带隙了。 [ Last edited by stractor on 2011-3-30 at 15:47 ] |
20楼2011-03-30 15:30:16
stractor
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