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半导体掺杂后的带隙如何看，求教
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各位大侠 我想知道半导体低浓度掺杂后 （大概0.03%），在费米能级处出现杂质能带 这个时候 我对它的带隙该如何判断呢？ 我想知道这种掺杂对带隙的影响 谢谢 |
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张宇琴
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
lzlgcdc: 金币+2, ★★★很有帮助, 谢谢大侠 2013-05-07 09:42:56
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lzlgcdc: 金币+2, ★★★很有帮助, 谢谢大侠 2013-05-07 09:42:56
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带隙是导带底-价带顶，这个在计算的时候能带结构图会给出，还有就是上面有同学说的费米能级的移动，体材料时费米能级在带隙中，但是掺杂后费米能级可能移动到导带，导带电子数目增多，导电性就会增强。估计是这样吧！ 下面我想问一下，关于半导体掺杂的问题： 1、掺杂浓度的确定是通过超晶胞确定的，如果替换某原子，就用替换个数比此原子总数，得出浓度。是吗？那这个千分之三要好大的一个晶胞，我的计算机算到2*2*2就老出错，不知您是怎么解决的。 2、掺杂半导体计算时，对话框中选择的metal，是吗？优化过程中是先优化1*1*1，再扩展为2*2*2，还是直接优化2*2*2？ 3、由于第一性原理的的计算时基于周期性边界条件的，掺杂要保证满足初始条件必须建立超晶胞，那掺杂离子该放在什么位置？一般情况下大多放在中心，有些文献尝试过不同位置的双掺杂，用的是不同位置，我照着人家的做会出错，无法进行，是模型不合理吗？怎样判断其合理性？ |
10楼2013-05-07 09:15:12
171713294
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