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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】P型半导体的重空穴掺杂
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】P型半导体的重空穴掺杂 已有7人参与

重空穴掺杂的P型半导体，费米能级进入价带顶，有效光学带隙是否是费米能级（低于价带顶）到导带底的能隙？是否还会出现“蓝移”现象？发生这种现象时，
最小空穴浓度和最大空穴浓度分别是多少？
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1楼 2010-07-26 01:49:47
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
这个是理想状态，实际实验中达不到这种重空玄掺杂状态，最大费米能级可以接近介带顶而不能低于它。
如楼上所说，禁带宽度会因为掺杂浓度的增加而减少在于掺杂导致的杂志浓度的增加，这个变化量很小。一般说，禁带宽度跟费米能级的位置是无关的。
可以参考street的非晶半导体书
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4楼2010-07-26 23:37:01
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夕阳西下

金虫 (著名写手)
★
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有效光学带隙应该指的是价带顶与导带底之间的带宽也就是禁带宽度，与费米能及无关。但是掺杂会改变费米能能级位置，同时也会改变禁带宽度的大小。可以参考半导体物理教材，一般情况下，禁带宽度随着掺杂浓度的增加而减少，故会出现蓝移的现象。杂质浓度与禁带宽度的关系可以参考半导体物理书。
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2楼2010-07-26 06:29:35
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靳惠莹

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
请看刘恩科的半导体物理
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3楼2010-07-26 08:30:26
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)
现在就我提出的问题进行另外一种表述：
根据Burstein-Moss效应，对N型半导体进行重电子掺杂，费米能级进入导带，光吸收跃迁过程只能在价带态和费米能级附近及以上的导带空态之间发生，有效光学带隙增大，表现为本征光吸收边向短波方向移动（蓝移）。
对P型半导体进行重空穴掺杂，是否可以表述为“费米能级进入价带，光吸收跃迁过程只能在导带态和费米能级附近及以下的价带满态之间发生，有效光学带隙增大，表现为本征光吸收边向短波方向移动（蓝移）。”
上述说法是否正确，敬请指教！
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5楼2010-07-27 01:32:03
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