| 查看: 19399 | 回复: 15 | |||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||||
[交流]
【交流】肖特基接触
|
|||||||
|
如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。 那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？ 文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。 [ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 合成（杂七杂八） | Analysis | 半导体物理方面 | 光催化 |
» 猜你喜欢
为什么中国大学工科教授们水了那么多所谓的顶会顶刊，但还是做不出宇树机器人？
已经有9人回复
-
版面费该交吗
已经有9人回复
-
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层，如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有13人回复
-
面上可以超过30页吧？
已经有4人回复
-
“人文社科而论，许多学术研究还没有达到民国时期的水平”
已经有5人回复
-
什么是人一生最重要的？
已经有4人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 肖特基缺陷的问题
已经有3人回复
- 大电流短路加热
已经有7人回复
- 制备ZnO肖特基接触与金属膜厚有关吗
已经有3人回复
- 什么是欧姆接触？
已经有5人回复
- 关于电极引出工艺
已经有5人回复
- 怎么用第一性原理计算的结果计算欧姆接触的肖特基势垒
已经有5人回复
- 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
已经有17人回复
- 请教金半接触 肖特基势垒的问题，多谢！
已经有11人回复
- 金属电极层是什么意思？
已经有7人回复
- 太阳能电池开路电压和短路电流都比较高，但填充因子低是怎么回事？
已经有20人回复
- 问一下半导体电子空穴对复合率和激发光透射率的关系
已经有4人回复
- 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
已经有9人回复
- 【请教】光电探测器与太阳能电池
已经有10人回复
- 【求助】半导体功函数
已经有20人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
单曲循环久了很多都会变
+1/411
-
上海交通大学叶天南课题组招聘2026级博士研究生
+1/88
-
上海交通大学叶天南课题组招聘2026级博士研究生
+1/85
-
招聘启事（酶工程与发酵工程方向）
+2/66
-
西工大控制科学博后招聘
+1/49
-
青岛科技大学2026年高分子材料方向科研助理招聘
+1/45
-
澳门理工大学人工智能智慧康养方向26 年9月入学博士招生 奖学金
+1/42
-
澳门理工大学人工智能智慧康养2026 年9月入学 博士招生有奖学金
+1/38
-
中山大学院士团队微纳光电器件、柔性电子方向博士招生、博后招聘
+2/19
-
邀稿综述，作者排名和工作量分工问题，存在不满和疑问。
+1/16
-
代朋友发 88公务员诚征男友
+1/13
-
新西兰 奥克兰理工大学（AUT）招博士，海藻资源化方向，详情请见如下内容，谢谢！
+1/13
-
青岛大学纺织服装学院张宪胜教授招收博士研究生
+1/9
-
澳门理工大学人工智能智慧康养方向26 年9月入学博士招生 奖学金
+1/8
-
博士招生
+1/7
-
太原理工大学集成电路学院招收2026年博士研究生
+1/6
-
国自然B0706药物化学生物学，需要什么样的文章才能中
+1/4
-
内江师范学院能源转化与储能实验室诚聘博士1-2人
+1/3
-
湖北工业大学2026年博士研究生（生物医药专博+轻工技术与工程学博）
+1/2
-
【科研助理招聘-北京理工大学-集成电路与电子学院-国家杰青团队】
+1/1
夕阳西下: 本来这些就是书上的内容，简单的问题让你描述的这么复杂。加外正向电压，势垒变窄，自然是正向电流，反之，反向电压势垒变宽，反向电流饱和达到一个定值。 2011-03-31 22:27:43
sunxianwen(金币+5): 2011-04-01 08:56:56
sunxianwen(金币+5): 2011-04-01 08:56:56
额。。。通常是N掺杂的费米能级比金属的低，P掺杂的费米能级比金属的高（通常），造成金属和N型半导体接触时半导体能带向上弯曲；而金属和P半导体接触时，半导体能带向下弯曲。接触时两者费米能级相等。功函大小我是说可以测得的，也可以计算得到。 至于热发射的问题它是与平衡状态比较的，肖特基势垒在平衡时，从金属到半导体热发射的电子与半导体到金属热发射的电子相等，是净电流为0的一个动态过程。当金属-N半导体接正向电压时，半导体一侧电子移向半导体表面受到的势垒减小，热发射几率增大，平衡被打破，造成半导体热发射到金属一侧的电子多于金属热发射到半导体一侧的电子，显示为金属到半导体的净电流，随着正向偏压增大，界面处电子浓度成指数级增长。而接反向电流时，半导体一侧电子移向半导体表面受到的势垒增大，热发射的几率减小，平衡被打破，造成金属热发射到半导体一侧的电子比半导体发射到金属一侧的电子多，显示为半导体到金属的净电流，但是这个电流和金属侧的势垒有关系（可近似看做只与金属的功函有关系），与所加偏压大小没有多大联系（以上都有理论计算的），表现为电流饱和。  你是把金属一侧的势垒和半导体表面的势垒混为一谈了，见图。φm是金属一侧的势垒，q(VD-Vf)是正向偏压时半导体一侧的势垒，q(VD+Vr)是加反向偏压时半导体一侧电子从体相移动到表面处所受的势垒。  类似于PN结啦，接正向偏压时电流随电压增大而显著增大；接反向偏压时，电流基本饱和，不随偏压变化。  具体请参考黄老的《半导体物理基础》1979版198页半导体-金属接触这一节  [ Last edited by 鹰羽龙 on 2011-3-31 at 18:08 ] |
13楼2011-03-31 18:02:17
2楼2011-01-08 14:03:35
3楼2011-01-08 17:35:13
4楼2011-01-08 17:38:34