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sunxianwen

银虫 (正式写手)

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[交流] 【交流】肖特基接触

如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。

[ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ]

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1楼 2011-01-08 10:06:46

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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

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★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47

引用回帖:

Originally posted by sunxianwen at 2011-01-08 10:06:46:
如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧 ...

这个问题我感觉有点奇怪

work function是由费米能级决定的，费米能级越高，功函越低，反之越高。金属的费米能级一般是固定的，掺杂半导体的费米能级不是固定的，受掺杂浓度影响，一般的N掺杂费米能级在本征能级之上，导带之下，但是对N+掺杂费米能级可以在导带之内。即使知道了带隙，还是不知道导带，价带已经费米能级位置，所以还是不知道N型半导体的功函，除了实验去测或者理论计算还怎么比较呢？

肖特基接触是因为金属和半导体接触，半导体的能带发生弯曲，使金属和半导体费米能级一致。以金属-N型接触为例，能带弯曲的结果使接正向偏压（金属接+，N半导体接-）时，电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，即形成从金属到半导体的净电流，偏压越大，电流越强，表现为导通；而接反向电压时，N半导体流向金属的势垒增大，电子从半导体到金属的热发射小于金属到半导体的热发射，形成金属到半导体的弱电流，电流基本不受偏压影响，只受金属的功函影响，所以电流小且恒定，表现为反向电阻大。类似于PN结单向导电一样，不过肖特基势垒是热发射主导的。

欧姆接触是因为半导体掺杂浓度高，电荷区宽度变小，势垒变弱，隧道电流增强，隧道电流导电，表现为小电阻。
看看黄昆的半导体物理吧，写的很清楚