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[交流]
【交流】肖特基接触
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如果金属的功函大于n型半导体的功函,可以形成肖特基接触。 那么已知金属的功函和n型半导体的带隙,怎么比较二者功函的大小? 文献中看到, Nb:STO 的band gap 为3.3 eV,那么它与Ti(功函为4.33eV)的接触为欧姆接触;与Au(功函为5.1eV)的接触为肖特基接触。 [ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ] |
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sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言,随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外,你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大,所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小,电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射,这句话怎么理解感觉有点问题,既然势垒小,怎么会热发射大呢?而接反向电压时,形成金属到半导体的弱电流,为什么?为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢? 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言,随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外,你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大,所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小,电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射,这句话怎么理解感觉有点问题,既然势垒小,怎么会热发射大呢?而接反向电压时,形成金属到半导体的弱电流,为什么?为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢? 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
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这个问题我感觉有点奇怪 work function是由费米能级决定的,费米能级越高,功函越低,反之越高。金属的费米能级一般是固定的,掺杂半导体的费米能级不是固定的,受掺杂浓度影响,一般的N掺杂费米能级在本征能级之上,导带之下,但是对N+掺杂费米能级可以在导带之内。即使知道了带隙,还是不知道导带,价带已经费米能级位置,所以还是不知道N型半导体的功函,除了实验去测或者理论计算还怎么比较呢?![]() 肖特基接触是因为金属和半导体接触,半导体的能带发生弯曲,使金属和半导体费米能级一致。以金属-N型接触为例,能带弯曲的结果使接正向偏压(金属接+,N半导体接-)时,电子从半导体流向金属时受到的势垒减小,电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射,即形成从金属到半导体的净电流,偏压越大,电流越强,表现为导通;而接反向电压时,N半导体流向金属的势垒增大,电子从半导体到金属的热发射小于金属到半导体的热发射,形成金属到半导体的弱电流,电流基本不受偏压影响,只受金属的功函影响,所以电流小且恒定,表现为反向电阻大。类似于PN结单向导电一样,不过肖特基势垒是热发射主导的。 ![]() 欧姆接触是因为半导体掺杂浓度高,电荷区宽度变小,势垒变弱,隧道电流增强,隧道电流导电,表现为小电阻。 看看黄昆的半导体物理吧,写的很清楚 |
11楼2011-03-31 16:03:13
2楼2011-01-08 14:03:35
3楼2011-01-08 17:35:13
4楼2011-01-08 17:38:34










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work function是由费米能级决定的,费米能级越高,功函越低,反之越高。金属的费米能级一般是固定的,掺杂半导体的费米能级不是固定的,受掺杂浓度影响,一般的N掺杂费米能级在本征能级之上,导带之下,但是对N+掺杂费米能级可以在导带之内。即使知道了带隙,还是不知道导带,价带已经费米能级位置,所以还是不知道N型半导体的功函,除了实验去测或者理论计算还怎么比较呢?