| 查看: 20616 | 回复: 15 | |||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||||
[交流]
【交流】肖特基接触
|
|||||||
|
如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。 那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？ 文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。 [ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 合成（杂七杂八） | Analysis | 半导体物理方面 | 光催化 |
» 猜你喜欢
27博士申请
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有3人回复
-
厉娜
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急
已经有12人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有15人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有14人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有16人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有15人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有10人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有12人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 肖特基缺陷的问题
已经有3人回复
- 大电流短路加热
已经有7人回复
- 制备ZnO肖特基接触与金属膜厚有关吗
已经有3人回复
- 什么是欧姆接触？
已经有5人回复
- 关于电极引出工艺
已经有5人回复
- 怎么用第一性原理计算的结果计算欧姆接触的肖特基势垒
已经有5人回复
- 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
已经有17人回复
- 请教金半接触 肖特基势垒的问题，多谢！
已经有11人回复
- 金属电极层是什么意思？
已经有7人回复
- 太阳能电池开路电压和短路电流都比较高，但填充因子低是怎么回事？
已经有20人回复
- 问一下半导体电子空穴对复合率和激发光透射率的关系
已经有4人回复
- 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
已经有9人回复
- 【请教】光电探测器与太阳能电池
已经有10人回复
- 【求助】半导体功函数
已经有20人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
东北大学应用经济学博士招生-2027级
+1/978
-
讨论一下
+1/285
-
27博士申请
+1/177
-
寻求代做陶瓷静电纺丝
+2/158
-
笃行自研 洞见前沿
+1/91
-
昆明医科大学“柔性生物电子与智能传感课题组”招聘科研助理
+1/46
-
中山大学（深圳）博士后招聘--化学合成、器件阵列集成等相关背景
+1/45
-
慢蹲一个与子偕老的爱人
+1/36
-
中国石油大学（北京）国家级大人才团队博士招生2名：化学、材料、石油工程：油田化学
+2/31
-
天津大学化学系吴立朋课题组申请考核制博士招生/博后招聘
+1/24
-
慢蹲一个与子偕老的爱人
+1/24
-
武汉工程大学 国家特聘专家 钱正芳教授课题组 招收申请考核制博士+师资博后
+1/23
-
27申博
+1/17
-
中国农业大学安杰课题组 科研助理招聘
+1/10
-
丙烯酸胶水
+1/9
-
做完三级编码，论文还没真正开始
+1/6
-
双一流湘潭大学化学学院招收1名27年9月入学的有机或高分子化学方向的博士生
+1/3
-
【中科大/上交/浙大】课题组招博士生、博士后/研究员/科研助理
+1/2
-
NK细胞分泌因子：天然免疫效应与免疫调节的双重功能
+1/1
-
从数据到靶点，一条证据链要过几道关？
+1/1
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
|
这个问题我感觉有点奇怪  work function是由费米能级决定的，费米能级越高，功函越低，反之越高。金属的费米能级一般是固定的，掺杂半导体的费米能级不是固定的，受掺杂浓度影响，一般的N掺杂费米能级在本征能级之上，导带之下，但是对N+掺杂费米能级可以在导带之内。即使知道了带隙，还是不知道导带，价带已经费米能级位置，所以还是不知道N型半导体的功函，除了实验去测或者理论计算还怎么比较呢？ 肖特基接触是因为金属和半导体接触，半导体的能带发生弯曲，使金属和半导体费米能级一致。以金属-N型接触为例，能带弯曲的结果使接正向偏压（金属接+，N半导体接-）时，电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，即形成从金属到半导体的净电流，偏压越大，电流越强，表现为导通；而接反向电压时，N半导体流向金属的势垒增大，电子从半导体到金属的热发射小于金属到半导体的热发射，形成金属到半导体的弱电流，电流基本不受偏压影响，只受金属的功函影响，所以电流小且恒定，表现为反向电阻大。类似于PN结单向导电一样，不过肖特基势垒是热发射主导的。 欧姆接触是因为半导体掺杂浓度高，电荷区宽度变小，势垒变弱，隧道电流增强，隧道电流导电，表现为小电阻。 看看黄昆的半导体物理吧，写的很清楚  |
11楼2011-03-31 16:03:13
2楼2011-01-08 14:03:35
3楼2011-01-08 17:35:13
4楼2011-01-08 17:38:34
