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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【交流】肖特基接触
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sunxianwen

银虫 (正式写手)

[交流] 【交流】肖特基接触

如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。

[ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ]
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1楼 2011-01-08 10:06:46
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mrzouhao

木虫之王 (文坛精英)
★ ★ ★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下(金币+2):奖励一下 2011-01-09 15:41:49
sunxianwen(金币+2): 2011-01-09 16:55:50
肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。
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5楼2011-01-08 17:41:42
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cz.87101

木虫 (正式写手)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
我也想知道，期待高手
赞一下(1人) 回复此楼
2楼2011-01-08 14:03:35
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liuy1235

铁杆木虫 (职业作家)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:07
要知道真空静止电子能量E0和半导体的费米能级就可以知道功函数，为二者之差。
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3楼2011-01-08 17:35:13
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liuy1235

铁杆木虫 (职业作家)
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:10
也和半导体的类型有关，你可以具体查下刘恩科编的半导体物理学第七章讲得很详细！
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4楼2011-01-08 17:38:34
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