应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【交流】肖特基接触
21/1返回列表
查看: 18958  |  回复: 15
查看全部回帖@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

sunxianwen

银虫 (正式写手)

[交流] 【交流】肖特基接触

如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。

[ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ]
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

合成（杂七杂八） Analysis 半导体物理方面 光催化

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼2011-01-08 10:06:46
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yllzhou

木虫 (小有名气)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
带隙一样，如果掺杂浓度不同，功函数也是不同的。Nb：STO的电子亲和势貌似在4.1左右（不确定，楼主自己查文献），所以那篇文献中的功函数正好比Ti 4.33大，而比金小吧
赞一下(1人) 回复此楼
10楼2011-03-31 15:00:23
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 sunxianwen 的主题更新
21/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复(可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭