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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【交流】肖特基接触
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sunxianwen

银虫 (正式写手)

[交流] 【交流】肖特基接触

如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。

[ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ]
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1楼 2011-01-08 10:06:46
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ljx3324

新虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
9楼: Originally posted by windblue at 2011-01-11 13:35:58
在金属和半导体的界面增加有机分子层，相对应的界面势垒也会发生改变。此时仍然可以用肖特基势垒及欧姆接触来描述吗？...

同样的疑问，金属与有机半导体界面之间会有Schotty势垒吗？
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16楼2015-03-18 11:06:56
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cz.87101

木虫 (正式写手)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
我也想知道，期待高手
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2楼2011-01-08 14:03:35
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liuy1235

铁杆木虫 (职业作家)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:07
要知道真空静止电子能量E0和半导体的费米能级就可以知道功函数，为二者之差。
赞一下(1人) 回复此楼
3楼2011-01-08 17:35:13
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liuy1235

铁杆木虫 (职业作家)
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:10
也和半导体的类型有关，你可以具体查下刘恩科编的半导体物理学第七章讲得很详细！
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4楼2011-01-08 17:38:34
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