应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【交流】肖特基接触
51/1返回列表
查看: 19338  |  回复: 15
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

sunxianwen

银虫 (正式写手)

[交流] 【交流】肖特基接触

如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。

[ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ]
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

合成（杂七杂八） Analysis 半导体物理方面 光催化

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2011-01-08 10:06:46
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ljx3324

新虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
9楼: Originally posted by windblue at 2011-01-11 13:35:58
在金属和半导体的界面增加有机分子层，相对应的界面势垒也会发生改变。此时仍然可以用肖特基势垒及欧姆接触来描述吗？...

同样的疑问，金属与有机半导体界面之间会有Schotty势垒吗？
赞一下 回复此楼
16楼2015-03-18 11:06:56
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 16 个回答

cz.87101

木虫 (正式写手)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
我也想知道，期待高手
赞一下(1人) 回复此楼
2楼2011-01-08 14:03:35
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

liuy1235

铁杆木虫 (职业作家)
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:07
要知道真空静止电子能量E0和半导体的费米能级就可以知道功函数，为二者之差。
赞一下(1人) 回复此楼
3楼2011-01-08 17:35:13
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

liuy1235

铁杆木虫 (职业作家)
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:10
也和半导体的类型有关，你可以具体查下刘恩科编的半导体物理学第七章讲得很详细！
赞一下 回复此楼
4楼2011-01-08 17:38:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 16 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭