晶体表面磁控溅射镀金,一直脱膜,该怎么优化工艺?
二氧化碲晶体表面,用磁控溅射镀膜,条件也试了很多种,一直脱膜,怎么解决啊,懂行的虫友给点意见吧。
条件是,以Cr作缓冲层,磁控溅射加轰击,电流115mA,打底真空度是1×10-3Pa,溅射真空3×10-1Pa,Cr溅射电流0.5A,Au溅射电流0.4A。
镀出来的膜不牢,用胶带一撕就脱落,是从Cr一起脱落的。单镀Cr层的时候还是很牢,就是一起镀两层的时候就脱落,这个该哪方面优化啊
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二氧化碲晶体表面,用磁控溅射镀膜,条件也试了很多种,一直脱膜,怎么解决啊,懂行的虫友给点意见吧。
条件是,以Cr作缓冲层,磁控溅射加轰击,电流115mA,打底真空度是1×10-3Pa,溅射真空3×10-1Pa,Cr溅射电流0.5A,Au溅射电流0.4A。
镀出来的膜不牢,用胶带一撕就脱落,是从Cr一起脱落的。单镀Cr层的时候还是很牢,就是一起镀两层的时候就脱落,这个该哪方面优化啊
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试试镀缓冲层加点氧
应该与基体预处理有关,不知道采取了什么方法预处理?
本人经验:在金属表面溅射完全没有问题,在Si片镀就会出现脱落,情况跟您的一样。
没有电子束蒸发设备
基体预处理是使用汽油和丙酮分别擦拭表面,然后溅射前加离子轰击清理表面。
同样的方法镀玻璃片是没问题的,很牢不脱膜,镀氧化碲就脱膜
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缓冲层加氧,是将铬氧化,生成氧化铬,做缓冲层吗?
金属之间做缓冲层一般用Cr或Ti,氧化物和金属之间做过渡一般用氧化硅或者氧化钛之类的,仅个人建议