主要都不明白你在说什么

设讨论的是N沟道增强型MOS管，则其源极（S）接地，漏极（D）接正压（设为Vd）。很显然，在沟道中从S到D这段距离中，沟道电压是从0到Vd渐渐变大的（设某处的沟道电压为V），而栅压Vg减去沟道电压V至少等于阈值电压Vt时，栅下沟道才能反型（即形成电子导电沟道，且电子浓度n的水平恰等于原来未反型时P型Si中的空穴浓度p）。当Vd大于一定值时，会使Vg－Vd<Vt，则漏端先不能反型（即此处电子被耗尽，称为沟道夹断），显然当Vd继续增大，则耗尽区（夹断区）会向S端扩展。所以沟道一般不是一下子都耗尽的，而是有耗尽的，也有未耗尽的区域。

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这个知识在任何一本《半导体器件物理》中都会讲到。