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dangran222木虫 (小有名气)
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沟道未耗尽部分
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沟道未耗尽部分什么意思啊?哪位大神会通俗一点的说法啊?还有反型层啥的老是搞不明白 发自小木虫Android客户端 |
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dangran222: 金币+10, ★★★★★最佳答案, 非常感谢~ 2017-04-26 11:02:36
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设讨论的是N沟道增强型MOS管,则其源极(S)接地,漏极(D)接正压(设为Vd)。很显然,在沟道中从S到D这段距离中,沟道电压是从0到Vd渐渐变大的(设某处的沟道电压为V),而栅压Vg减去沟道电压V至少等于阈值电压Vt时,栅下沟道才能反型(即形成电子导电沟道,且电子浓度n的水平恰等于原来未反型时P型Si中的空穴浓度p)。当Vd大于一定值时,会使Vg-Vd<Vt,则漏端先不能反型(即此处电子被耗尽,称为沟道夹断),显然当Vd继续增大,则耗尽区(夹断区)会向S端扩展。所以沟道一般不是一下子都耗尽的,而是有耗尽的,也有未耗尽的区域。 发自小木虫IOS客户端 |
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3楼2017-04-26 05:53:40
dangran222
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5楼2017-04-26 07:27:06
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6楼2017-04-26 09:07:02
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