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dangran222

木虫 (小有名气)

[求助] 沟道未耗尽部分

沟道未耗尽部分什么意思啊？哪位大神会通俗一点的说法啊？还有反型层啥的老是搞不明白

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1楼 2017-04-25 20:55:31
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爱吃菜的虫

木虫 (著名写手)
主要都不明白你在说什么

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2楼2017-04-25 21:01:00
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
dangran222: 金币+10, ★★★★★最佳答案, 非常感谢～ 2017-04-26 11:02:36
设讨论的是N沟道增强型MOS管，则其源极（S）接地，漏极（D）接正压（设为Vd）。很显然，在沟道中从S到D这段距离中，沟道电压是从0到Vd渐渐变大的（设某处的沟道电压为V），而栅压Vg减去沟道电压V至少等于阈值电压Vt时，栅下沟道才能反型（即形成电子导电沟道，且电子浓度n的水平恰等于原来未反型时P型Si中的空穴浓度p）。当Vd大于一定值时，会使Vg－Vd<Vt，则漏端先不能反型（即此处电子被耗尽，称为沟道夹断），显然当Vd继续增大，则耗尽区（夹断区）会向S端扩展。所以沟道一般不是一下子都耗尽的，而是有耗尽的，也有未耗尽的区域。

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dangran222
没有困难创造困难也要上网。
3楼2017-04-26 05:53:40
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dangran222

木虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by qfw_68 at 2017-04-26 05:53:40
设讨论的是N沟道增强型MOS管，则其源极（S）接地，漏极（D）接正压（设为Vd）。很显然，在沟道中从S到D这段距离中，沟道电压是从0到Vd渐渐变大的（设某处的沟道电压为V），而栅压Vg减去沟道电压V至少等于阈值电压Vt ...

谢谢谢谢～

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4楼2017-04-26 07:26:17
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dangran222

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 爱吃菜的虫 at 2017-04-25 21:01:00
主要都不明白你在说什么

是我没说明白，我是在看英文文献看到的，文献是关于GaAs器件的

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5楼2017-04-26 07:27:06
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

这个知识在任何一本《半导体器件物理》中都会讲到。
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没有困难创造困难也要上网。
6楼2017-04-26 09:07:02
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dangran222

木虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by qfw_68 at 2017-04-26 09:07:02
这个知识在任何一本《半导体器件物理》中都会讲到。

请问你有这本书电子版没？有的话能不能分享给我啊？谢谢

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7楼2017-04-26 10:18:59
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