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dangran222

木虫 (小有名气)

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dangran222

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 爱吃菜的虫 at 2017-04-25 21:01:00
主要都不明白你在说什么

是我没说明白,我是在看英文文献看到的,文献是关于GaAs器件的

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5楼2017-04-26 07:27:06
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爱吃菜的虫

木虫 (著名写手)

主要都不明白你在说什么

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2楼2017-04-25 21:01:00
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
dangran222: 金币+10, ★★★★★最佳答案, 非常感谢~ 2017-04-26 11:02:36
设讨论的是N沟道增强型MOS管,则其源极(S)接地,漏极(D)接正压(设为Vd)。很显然,在沟道中从S到D这段距离中,沟道电压是从0到Vd渐渐变大的(设某处的沟道电压为V),而栅压Vg减去沟道电压V至少等于阈值电压Vt时,栅下沟道才能反型(即形成电子导电沟道,且电子浓度n的水平恰等于原来未反型时P型Si中的空穴浓度p)。当Vd大于一定值时,会使Vg-Vd<Vt,则漏端先不能反型(即此处电子被耗尽,称为沟道夹断),显然当Vd继续增大,则耗尽区(夹断区)会向S端扩展。所以沟道一般不是一下子都耗尽的,而是有耗尽的,也有未耗尽的区域。

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» 本帖已获得的红花(最新10朵)

没有困难创造困难也要上网。
3楼2017-04-26 05:53:40
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dangran222

木虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by qfw_68 at 2017-04-26 05:53:40
设讨论的是N沟道增强型MOS管,则其源极(S)接地,漏极(D)接正压(设为Vd)。很显然,在沟道中从S到D这段距离中,沟道电压是从0到Vd渐渐变大的(设某处的沟道电压为V),而栅压Vg减去沟道电压V至少等于阈值电压Vt ...

谢谢谢谢~

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4楼2017-04-26 07:26:17
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