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【求助】如何计算半导体带边？

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目光之城

ECB=X-Ee-0.5Eg式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。我想问的是根据什么公式可以求出X？！我做的是TiO2
mika

引用回帖:
Originally posted by 目光之城 at 2011-04-17 19:59:24:
ECB=X-Ee-0.5Eg式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。我想问的是根据什么公式可以求出X？！我做的是TiO2

我不懂楼主的问题，不好意思。但是想问问剪刀算符是什么方法呢》之前我听人提过，但是没注意
，
yaodu

同关注，剪刀算符问题，好像李明宪的教程里讲过，不过我给忘了
春儿

我也想知道X是怎么算出的？
953623702

所谓的经"剪刀算符"修正过的带隙,说白了就是实验带隙值(DFT通常会低估半导体的禁带宽度). 但这个电负性的几何平均值是个神马东东,我也正纠结...这个方法是个半经验的方法,据说准确计算带边位置的方法也已经有了!
xueht987

既然X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，查一下各个原子的电负性自己算一下不就行了吗，原子电负性还是可以查到的