【请教】磁控溅射，多孔基体应该用直靶？斜靶？
想做磁控溅射，在基体上长点东西，刚问了问一个地方能做，但是他们的设备是斜靶的，说往多孔材料上沉积不太好。
我的基体有20-30纳米的小孔，想均匀沉积点Si，孔里也沉上，不知道虫子们了不了解用哪种工艺好一点。
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孔太小，有可能会堵上。
孔太小会堵上的，一般高径比超过3就会堵上了。。我也要往孔里沉积东西，真愁着呢。。。
我的孔不深，高度跟宽度差不多，我还没试过，你用磁控溅射做过了吗？
那你可以试试哈，我从文献上见过用溅射沉积30nm左右的。我没做过， 我在用电沉积，沉积不上呢 ，悲剧
，
磁控溅射没问题
降低溅射功率，增大偏压