最近在做玻璃材料封接碳化硅陶瓷,试了好几个玻璃体系,发现玻璃与碳化硅陶瓷反应活性很大,玻璃/碳化硅界面处气泡现象极其严重,有做这个方向的吗,大家一起来讨论下。 返回小木虫查看更多
看封接是在真空或气氛保护下做的吗,如果不是,而是在空气中就会增大玻璃与SiC的反应能力,因为SiC在玻璃润湿后容易氧化,氧化产物SiO2又与玻璃反应生成低熔点物质,玻璃/碳化硅界面处起泡就表面很有能够是SiC氧化了。 控制玻璃中碱金属离子的含量,如果要求低温可以通过控制B2O3的量调节,最好共烧结后能够形成晶相,还可以满足热膨胀系数与介电方面的要求。
公司主要从事纳米陶瓷粉体材料的研制、生产和应用,相继已成功地开发出纳米氮化硅、碳化硅、氮化铝、碳化钛、碳化硼、硅粉、氮化钛及碳化锆等粉体材料,实现批量生产,并远销美国、日本、韩国和西欧等地方。公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾! 咨询电话:王先生15256580259 0551—5314886—8004 传真:0551-5315779 QQ:522062268 Email:kai_xin_126@163.com
看封接是在真空或气氛保护下做的吗,如果不是,而是在空气中就会增大玻璃与SiC的反应能力,因为SiC在玻璃润湿后容易氧化,氧化产物SiO2又与玻璃反应生成低熔点物质,玻璃/碳化硅界面处起泡就表面很有能够是SiC氧化了。
控制玻璃中碱金属离子的含量,如果要求低温可以通过控制B2O3的量调节,最好共烧结后能够形成晶相,还可以满足热膨胀系数与介电方面的要求。
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谢谢详细的回帖。
一开始我没考虑过实验气氛的问题,后来做实验时加以考虑,分为真空和通惰性气体。真空环境比较好,但是惰性气体环境仍然比较严重。感觉碳化硅预氧化对消除界面气泡没什么作用
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