【求助】几个关于掺杂的问题
有一些问题不明白,希望能得到指导。
1. 掺杂后,结构的稳定性需要用phonon来验证是否稳定吗(没有实验数据),如果没有虚频出现,就可以证明此掺杂结构一定稳定吗?
2. 如果随着掺杂的量增加,能带带隙逐渐减小,并且由P型半导体变为了n型半导体,导带的宽度增大,这能说明什么啊?
3. DOS和PDOS的分析在实际中有什么应用啊?能够反映体系的哪些性质啊?
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有一些问题不明白,希望能得到指导。
1. 掺杂后,结构的稳定性需要用phonon来验证是否稳定吗(没有实验数据),如果没有虚频出现,就可以证明此掺杂结构一定稳定吗?
2. 如果随着掺杂的量增加,能带带隙逐渐减小,并且由P型半导体变为了n型半导体,导带的宽度增大,这能说明什么啊?
3. DOS和PDOS的分析在实际中有什么应用啊?能够反映体系的哪些性质啊?
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能不能说的详细一点,谢谢
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禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本 征激发所需要的最小能量,直接决定着器件的耐压和最高工作温度;