PDOS分波态密度，可以有效地表现出s p d f各个轨道的贡献情况以及轨道间的杂化情况。

带隙变窄效应
　　这是BJT的发射区重掺杂所带来的一种不良现象。
　　因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，以致使得能带尾和杂质能带重叠，结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg ，这就是带隙变窄效应。这种重掺杂所引起的带隙变窄量ΔEg与发射区掺杂浓度NE的关系为（室温下）
　　ΔEg = 22.5 (NE/1018 )1/2 [meV]
　　当重掺杂导致带隙变窄时，将相应地使发射区中的本征载流子浓度由ni变成为niE = ni2 exp[ΔEg / kT] ；发射区中本征载流子浓度的增大，就将造成发射区的少子浓度pE0也相应增加为pE0 = niE2 / NE = ( ni2/ NE ) exp[ΔEg / kT] 。于是，就使得发射结的注射效率降低。总之，发射区重掺杂可引起带隙变窄，从而导致BJT的放大性能下降，

PDOS分态密度的，这个可以看出不同轨道的重叠和相对费米能及的移动，据此得出，成建的强弱。

掺杂是一个很重要的问题。世界上，纯的物质是很少的，所以我们要研究杂质在材料中存在的形式，形成什么样的现象，以及产生什么样的作用。掺杂之后，材料将得到什么样性质的材料，对人类有什么作用，这些需要我们一一阐述。
掺杂要研究的内容很多，如成键机理、稳定性、能带结构、电荷密度变化......
目前，我们可以通过结构弛豫、DOS、电荷密度，能带结构进行分析，阐述其机理。

PDOS分态密度的，可以看出不同轨道的成键情况