那位高手知道在vsap中参数SIGMA控制的展宽有什么物理意义,或者在作图时怎么去影响结果的?有资料也可以。谢谢。 返回小木虫查看更多
没有物理意义,数学处理。
VASP的ismear和abinit,pwscf中的semearing展宽技术是一致的。主要是基于数值计算上的考虑,弥补离散求和和积分之间的误差。但也是有一定的物理意义的,对于金属由于在费米能级附近电子占据情况不是突然的变化成0,而是有一个减小过程,采用高斯等展宽,模拟了费米能级附近电子占据的这种情况,使得计算更加符合物理图像也使的计算收敛更容易了。对于gauss展宽,由于它有一定的物理意义在里面,有时候通过修改gauss展宽的参数,来模拟一定温度下的电子能带。 各人的一点理解 详细的可以参看牛人的毕业论文 http://quasiamore.mit.edu/phd 第四章,
电子结构的书应该都会介绍其基本公式,综述性文章也应该很好找(如Rev. Mod. Phys.)。另外,对于楼上所说的“也是有一定的物理意”,从smearing基本公式中可以看出,这是不对的。因为smearing是将所有的能级都展宽,而在有限温度下Fermions的统计分布只是Fermi level附近各能级粒子数占据数出现Fermi Distribution而已。不过,用smearing来模拟楼上所说的有限温度情况还是有人这么作的,但是很少,也要看具体问题是什么来说,而不能简单的一一对应。
不能沉啊,还是的请教
能不能在讲明白些呀,我也有这方面的问题。
路过学习哈
没有物理意义,数学处理。
VASP的ismear和abinit,pwscf中的semearing展宽技术是一致的。主要是基于数值计算上的考虑,弥补离散求和和积分之间的误差。但也是有一定的物理意义的,对于金属由于在费米能级附近电子占据情况不是突然的变化成0,而是有一个减小过程,采用高斯等展宽,模拟了费米能级附近电子占据的这种情况,使得计算更加符合物理图像也使的计算收敛更容易了。对于gauss展宽,由于它有一定的物理意义在里面,有时候通过修改gauss展宽的参数,来模拟一定温度下的电子能带。
各人的一点理解
详细的可以参看牛人的毕业论文
http://quasiamore.mit.edu/phd
第四章,
电子结构的书应该都会介绍其基本公式,综述性文章也应该很好找(如Rev. Mod. Phys.)。另外,对于楼上所说的“也是有一定的物理意”,从smearing基本公式中可以看出,这是不对的。因为smearing是将所有的能级都展宽,而在有限温度下Fermions的统计分布只是Fermi level附近各能级粒子数占据数出现Fermi Distribution而已。不过,用smearing来模拟楼上所说的有限温度情况还是有人这么作的,但是很少,也要看具体问题是什么来说,而不能简单的一一对应。
不能沉啊,还是的请教
能不能在讲明白些呀,我也有这方面的问题。
路过学习哈