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【求助】金属-半导体接触中的leakage current?

作者 zhangletao1986
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  金属-半导体接触中的leakage current会使IV曲线偏离热发射模型,但这种漏电流到底是由什么引起的?有什么物理含义?
  请高手们指教…… 返回小木虫查看更多

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  • 精华评论
  • bryano

    一般由表面杂质、缺陷等引起。

  • bryano

    看看Sze的书,会找到答案。

  • zhujd

    看看半导体物理的书吧,我在材料板上传的半导体理论的课件可能有用

  • tingyee

    这个其实挺复杂的,你比如说有空间电荷限制电流,P-F,F-N,等等的,不同的模型对应不同的漏电流机制。一时半会说不清,我也没有能力给你全部说清楚,呵呵,建议你先看看施敏的书吧,这类文献也很多,作高k材料的比较关注这个话题,你看看这方面的文章好了。

  • sun-boymlh

    半导体元件漏电流
      PN结在截止时流过的很微小的电流。
      电源漏电流
      开关电源中为了减少干扰,按照国标,必须设有EMI滤波器电路。由于EMI电路的关系,使得在开关电源在接上市电后对地有一个微小的电流,这就是漏电流。如果不接地,计算机的外壳会对地带有110伏电压,用手摸会有麻的感觉,同时对计算机工作也会造成影响。
      电容漏电流
      电容介质不可能绝对不导电,当电容加上直流电压时,电容器会有漏电流产生。若漏电流太大,电容器就会发热损坏。除电解电容外,其他电容器的漏电流是极小的,故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能;而电解电容因漏电较大,故用漏电流表示其绝缘性能(与容量成正比)。
      漏电流计算公式
      其计算公式为:i=kcu(μa);其中k值为漏电流常数,单位为μa(v·μf)。

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