我薄膜表面是在惰性气氛下，低真空度等离子处理的，按文献的报道是可以得到表面氧空位和Ti3+defects的。

O是供电子的，如果有氧空穴产生，那么Ti和O周围的电子云密度会降低，这会引起Ti4+的Ti2p峰和O2-的O1s峰向高结合能处位移（正影响），但是由于你经过处理的材料里存在Ti3+，这会引起O1s峰向低结合能处少量位移（负影响，且氧的价态没有变化），并且在低结合能处出现Ti3+的Ti2p峰（价态变化引起的位移会大一些），这两者综合影响造成你的O1s向高偏移0.3eV（正影响和负影响综合效果，偏移较小），而Ti2p向高偏移0.5eV（只有正影响，偏移较大）（注意，这个Ti2p是指的Ti4+的，Ti3+的Ti2p在低结合能处）。这是我的分析结果，当然，前提是你的结果是准确并可重复的，

恩，感激涕零，zyh116兄分析的很详细，有劳了。
我测了2个样品都是有发生如此位移的，应该结果还是比较准确的吧，就是在文献上还没有找到相当充分的证据。现在zyh116兄分析之下，思路有点通了，实在是万分感激！！！
不知道能否有劳版主扣除我10个金币赠予zyh116兄。多谢了！！！

金币就算了，我不是为了金币的

真的很感激！！！

你也不富裕，你要是有个百八十万，我要一点也无所谓。呵呵，开个玩笑，祝你试验顺利。

金币不在多，够用就行！！！