【求助】问一个XPS化学位移的问题
如果TiO2表面具有Ti3+存在，那么，除了在低结合能处会出现一个肩峰外，Ti2p的峰会不会出现位移，如果会出现位移的话，是往哪个方向移动的呢？
若生成表面氧空位的话，O1s的峰会不会出现位移，我的实验结果是O1s峰往高结合能方向移动了0.3eV，（谱图已经用C1s 284.6eV校正过了）。
望各位高手多多指点，不甚感激！！！
[ Last edited by jdzhuang on 2009-7-15 at 11:27 ]
返回小木虫查看更多
今日热帖
京公网安备 11010802022153号
如果有Ti3+存在，那么Ti2p 1/2 3/2 会有位移，会在低结合能处拟合出峰，大概偏移2-3eV。
如你所说，有氧空位的话，氧会向高结合能处偏移，但是氧和Ti3+结合会造成O1s向低结合能处偏移0.3-0.5ev，综合影响就看你的样品了是氧空位多一些还是Ti3+多一些
给你个XPS标准数据库看一下，这是Ti的，O的你也可以查一下对照。
http://srdata.nist.gov/xps/EngEl ... i_ex_dat&Elm=Ti
[ Last edited by zyh116 on 2009-7-16 at 14:12 ]，
首先多谢zyh116兄！如果我的谱图中Ti2p峰在低结合能处能拟合出Ti3+的峰，但是整个Ti2p线往高结合能方向移动了0.5eV， 而O1s峰往高结合能方向位移了0.3eV左右，能否说明原因是因为产生较多的氧空位，使得以上这些位移得以发生？谢谢！！！
可以这么说，但是如你你要写文章的话，必须给出出处，也就是说可参考文献，氧空位的概念比较模糊，0.3-0.5eV的偏移说明没有价态的变化，氧空位产生不会引起价态变化，但是会引起Ti\O的结合能发生化学位移，你可以这么解释，但最好能找到相关的文献，我不搞光催化，手上没有这方面文献。
另外，你的Ti2p和O1s的峰位是多少eV?
[ Last edited by zyh116 on 2009-7-16 at 14:11 ]
我查了一些文献，里面比较少讲位移内容的。基本上看他们的XPS图peaks都重叠的很好，然后在Ti2p 的低结合能或O1s的高结合能方向上有出现包，然后说明有Ti3+或者是有吸附的OH。也有看V2O5的文献说：O1s往高位走0.3eV是氧空位结合能的影响，但是他里面V2p的峰是往低位走的。
我两个样品，一个表面没处理的TiO2其Ti2p和O1s分别为：458.6和530.0eV，这个和那些标准数据对的很好。而表面处理过的的TiO2膜的峰分别是：459.1和530.3eV，而Ti3+的包大概出现在457-458之间。
[ Last edited by jdzhuang on 2009-7-16 at 16:37 ]
再次感谢zyh116 ！！！
在主峰边上出现包，一种是有振起的伴峰，典型的如Co2+，还有一种是化学位移引起的，进行拟合可以考查元素的不同化学环境，比如O峰，复杂的可以拟合出三四种氧的状态，价态都一样，但是化学环境不一样。除了看你的峰位外，还要看你的峰型，是否对称，是否很宽，这都影响你的分析结果，XPS是一个人为因素和经验影响较大的分析方法，不同的人对同一个峰可能会有不同的认识。要多看文献，几篇是不够的，特别是外文文献，我觉得你至少要仔细看了几十篇文献后才行。
[ Last edited by zyh116 on 2009-7-16 at 16:47 ]
你表面处理是怎么做的，酸碱处理？有机物处理还是水热处理？