主要是有的半导体中电子束大于空穴数，而P型式空穴数大于电子数，如果掺杂的话，可以是n型变为p型，就是掺杂使半导体中空穴数大于电子数，同理，使p型变为n型，掺杂是使电子数大于空穴数。这就是所谓的p型和n型掺杂

这个只需要看一下P,N型半导体的定义即可

二、三楼的虫子，我想问的是为什么非掺杂的III-IV化合物体现的是n型的，按能带理论，它们应该都是正好电子填满价带而体现本征导电的啊（例如Si在非掺杂的情况下就是本征导电的，电子与空穴的浓度相等）。

应该是缺陷造成的

本人不是做试验的，所以不是特别清楚实际材料情况，不过这个可以在理论上解释的，不妥之处请高人再指点。InSb等化合物材料是窄禁带的，GaAs等是宽禁带的，这个不同会很大不同的。关于本征InSb显示n型特性，应该是实际材料的体现。理论上纯材料（也就是本征材料）应该是非n非p的，但是实际的材料绝对会有杂质和缺陷的，当掺杂所产生的载流子在工作温度下占主要时，就会是n型或者是p型，当温度足够高（超过工作温度了），这是本征载流子掩盖了杂质载流子，那么就是宏观上的非n非p。对于楼主所说本征显示n型，我认为应该从表面态和缺陷或者少量杂质来考虑，以缺陷为例，如果是空位的话，就会有悬挂键出现，这时候就会有多余的电子出现。以表面态为例，如果表面态是施主态，那么也就会提供电子。当然这些分析都是要考虑温度的影响的，

补充：我所说GaAs等是宽禁带是相对InSb的