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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】为什么本征的InSb、InAs是n型半导体？
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zhangletao1986

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】为什么本征的InSb、InAs是n型半导体？

而非掺杂的GaAs是非n非p的，还是也是n型的？
以前一直感觉非掺杂的半导体应该是非n非p的，只有在掺杂后才会引入非平衡的载流子。
请懂半导体的虫子赐教。
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1楼 2009-04-26 07:53:42
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wlx5876

银虫 (正式写手)
★
dawnlight(金币+1,VIP+0):3x,感谢分享~ 4-27 09:22
主要是有的半导体中电子束大于空穴数，而P型式空穴数大于电子数，如果掺杂的话，可以是n型变为p型，就是掺杂使半导体中空穴数大于电子数，同理，使p型变为n型，掺杂是使电子数大于空穴数。这就是所谓的p型和n型掺杂
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2楼2009-04-26 08:41:27
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元小雪

木虫 (职业作家)
这个只需要看一下P,N型半导体的定义即可
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无聊的博士
3楼2009-04-26 08:57:55
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zhangletao1986

金虫 (小有名气)
二、三楼的虫子，我想问的是为什么非掺杂的III-IV化合物体现的是n型的，按能带理论，它们应该都是正好电子填满价带而体现本征导电的啊（例如Si在非掺杂的情况下就是本征导电的，电子与空穴的浓度相等）。
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4楼2009-04-26 09:22:06
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ljjhb1

银虫 (正式写手)
★
zhangletao1986(金币+1,VIP+0): 4-27 12:47
应该是缺陷造成的
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5楼2009-04-26 19:30:38
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bdtlyh

铜虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★
zhangletao1986(金币+2,VIP+0):感觉你说的挺有道理的，thank you. 4-27 08:03
dawnlight(金币+2,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 4-27 09:23
本人不是做试验的，所以不是特别清楚实际材料情况，不过这个可以在理论上解释的，不妥之处请高人再指点。InSb等化合物材料是窄禁带的，GaAs等是宽禁带的，这个不同会很大不同的。关于本征InSb显示n型特性，应该是实际材料的体现。理论上纯材料（也就是本征材料）应该是非n非p的，但是实际的材料绝对会有杂质和缺陷的，当掺杂所产生的载流子在工作温度下占主要时，就会是n型或者是p型，当温度足够高（超过工作温度了），这是本征载流子掩盖了杂质载流子，那么就是宏观上的非n非p。对于楼主所说本征显示n型，我认为应该从表面态和缺陷或者少量杂质来考虑，以缺陷为例，如果是空位的话，就会有悬挂键出现，这时候就会有多余的电子出现。以表面态为例，如果表面态是施主态，那么也就会提供电子。当然这些分析都是要考虑温度的影响的。
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6楼2009-04-27 02:18:02
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bdtlyh

铜虫 (小有名气)
补充：我所说GaAs等是宽禁带是相对InSb的
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7楼2009-04-27 02:26:05
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