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zhangletao1986

金虫 (小有名气)

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[交流] 【求助】为什么本征的InSb、InAs是n型半导体？

而非掺杂的GaAs是非n非p的，还是也是n型的？
以前一直感觉非掺杂的半导体应该是非n非p的，只有在掺杂后才会引入非平衡的载流子。
请懂半导体的虫子赐教。

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1楼2009-04-26 07:53:42

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bdtlyh

铜虫 (小有名气)

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专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

★ ★ ★ ★
zhangletao1986(金币+2,VIP+0):感觉你说的挺有道理的，thank you. 4-27 08:03
dawnlight(金币+2,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 4-27 09:23

本人不是做试验的，所以不是特别清楚实际材料情况，不过这个可以在理论上解释的，不妥之处请高人再指点。InSb等化合物材料是窄禁带的，GaAs等是宽禁带的，这个不同会很大不同的。关于本征InSb显示n型特性，应该是实际材料的体现。理论上纯材料（也就是本征材料）应该是非n非p的，但是实际的材料绝对会有杂质和缺陷的，当掺杂所产生的载流子在工作温度下占主要时，就会是n型或者是p型，当温度足够高（超过工作温度了），这是本征载流子掩盖了杂质载流子，那么就是宏观上的非n非p。对于楼主所说本征显示n型，我认为应该从表面态和缺陷或者少量杂质来考虑，以缺陷为例，如果是空位的话，就会有悬挂键出现，这时候就会有多余的电子出现。以表面态为例，如果表面态是施主态，那么也就会提供电子。当然这些分析都是要考虑温度的影响的。