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zhangletao1986

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】为什么本征的InSb、InAs是n型半导体?

而非掺杂的GaAs是非n非p的,还是也是n型的?
以前一直感觉非掺杂的半导体应该是非n非p的,只有在掺杂后才会引入非平衡的载流子。
请懂半导体的虫子赐教。
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bdtlyh

铜虫 (小有名气)

补充:我所说GaAs等是宽禁带是相对InSb的
7楼2009-04-27 02:26:05
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wlx5876

银虫 (正式写手)


dawnlight(金币+1,VIP+0):3x,感谢分享~ 4-27 09:22
主要是有的半导体中电子束大于空穴数,而P型式空穴数大于电子数,如果掺杂的话,可以是n型变为p型,就是掺杂使半导体中空穴数大于电子数,同理,使p型变为n型,掺杂是使电子数大于空穴数。这就是所谓的p型和n型掺杂
2楼2009-04-26 08:41:27
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元小雪

木虫 (职业作家)

这个只需要看一下P,N型半导体的定义即可
无聊的博士
3楼2009-04-26 08:57:55
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zhangletao1986

金虫 (小有名气)

二、三楼的虫子,我想问的是为什么非掺杂的III-IV化合物体现的是n型的,按能带理论,它们应该都是正好电子填满价带而体现本征导电的啊(例如Si在非掺杂的情况下就是本征导电的,电子与空穴的浓度相等)。
4楼2009-04-26 09:22:06
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