刘恩科的那本半导体物理就有啊。硅为间接带隙半导体，导带极小位于100方向布里渊区中心到边界的0.85倍。室温下约为1.12eV

估计楼主主要问的纳米硅的能带图吧

主要是需要硅的真空能级或者费米能级，具体是多少ev。比如说cds的导带底真空能级大概是-4.1ev，NHE大概是0.4ev，而价带顶的真空能级是-6.7ev，NHE是2.2ev

主要是需要硅的真空能级或者费米能级，具体是多少ev。比如说cds的导带底真空能级大概是-4.1ev，导带底的NHE大概是-0.4ev，而价带顶的真空能级是-6.7ev，价带顶的NHE是2.2ev

楼主，具体请看刘恩科的半导体物理，我这里粘一点数据：
Si的待腻子亲和能4.05ev，N型Si的功函数茵掺杂浓度的不同而不同，大概在4.3ev
P型也一样大概在4.9ev左右。不知道这些数据有用没有，

不好意思，上面的“待腻子亲和能”是指“电子亲和能”完全手误。

刘恩科的半导体物理可以查出你想要的东西