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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 综合其它 » 【求助】半导体硅的带隙和能级位置
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xintom

金虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】半导体硅的带隙和能级位置

请问各位帮忙解决半导体硅以及纳米硅的导带和价带的能级是多少？查了好多半导体的能级图，但是都没看到硅的，难道这种材料比较特殊？
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1楼 2009-04-19 10:30:15
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zhuzhen

木虫 (正式写手)
★
ziice(金币+1,VIP+0):感谢您的交流 4-19 16:52
刘恩科的那本半导体物理就有啊。硅为间接带隙半导体，导带极小位于100方向布里渊区中心到边界的0.85倍。室温下约为1.12eV
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2楼2009-04-19 16:44:24
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jackyzheng9986

铜虫 (小有名气)
估计楼主主要问的纳米硅的能带图吧
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3楼2009-04-20 18:23:38
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xintom

金虫 (初入文坛)

修正

主要是需要硅的真空能级或者费米能级，具体是多少ev。比如说cds的导带底真空能级大概是-4.1ev，NHE大概是0.4ev，而价带顶的真空能级是-6.7ev，NHE是2.2ev
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4楼2009-04-25 00:20:15
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xintom

金虫 (初入文坛)

修正

主要是需要硅的真空能级或者费米能级，具体是多少ev。比如说cds的导带底真空能级大概是-4.1ev，导带底的NHE大概是-0.4ev，而价带顶的真空能级是-6.7ev，价带顶的NHE是2.2ev
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5楼2009-04-25 00:21:09
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sunxinli

★
闪闪红心(金币+1,VIP+0):鼓励新虫参与交流！ 4-27 14:07
楼主，具体请看刘恩科的半导体物理，我这里粘一点数据：
Si的待腻子亲和能4.05ev，N型Si的功函数茵掺杂浓度的不同而不同，大概在4.3ev
P型也一样大概在4.9ev左右。不知道这些数据有用没有
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6楼2009-04-27 14:05:36
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sunxinli

不好意思，上面的“待腻子亲和能”是指“电子亲和能”完全手误。
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7楼2009-04-27 14:06:35
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jerryliu

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
刘恩科的半导体物理可以查出你想要的东西
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8楼2009-08-06 17:24:59
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