[求助]关于vasp计算的电子密度分布
我用vasp计算得到的CHGCAR，然后用VMD来查看自旋电荷密度差分布。结果得到的结果是电荷密度差位置和相应的原子位置有偏移。直接看电荷密度分布没问题（无论是上自旋还是下自旋）。我想问的是，VMD在表征自旋电荷密度差上会有问题么？因为计算参数是从文献上得来的。计算结果应该不会有错误。
还有什么方法或软件可以表征vasp计算结果中的电荷密度分布？
谢谢啦！
[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-23 at 19:41 ]
返回小木虫查看更多
今日热帖
京公网安备 11010802022153号
你好，你是不是忽视了优化结构和初始结构之间的差距，电荷密度对应于优化结构的坐标吧?
我一般用vesta看，把OUTCAR和CHGCAR放到同一个文件夹中，就可以同时看到原子坐标和电荷密度分布。
vesta见http://www.geocities.jp/kmo_mma/crystal/en/vesta.html，
我试用了一下。可以看到结构和电荷密度。可是得到的电荷密度是不是总的电荷密度阿？我能不能单独看自旋向上和自旋向下的电荷密度？还有他们的差。谢谢。
vasp计算中我是考虑了电子自旋的。
顶啊，这个问题我也很想知道
请问VESTA如何打开CHGCAR
打开选项里只能打开后缀为.vasp的文件
晕, 你选择所有文件类型,然后就可以直接打开 CHGCAR 文件
我记得有个什么命令直接输出 *.up *.dn
的你去看看manu直接就可以把自旋分开输出的