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[交流]
[求助]关于vasp计算的电子密度分布
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我用vasp计算得到的CHGCAR，然后用VMD来查看自旋电荷密度差分布。结果得到的结果是电荷密度差位置和相应的原子位置有偏移。直接看电荷密度分布没问题（无论是上自旋还是下自旋）。我想问的是，VMD在表征自旋电荷密度差上会有问题么？因为计算参数是从文献上得来的。计算结果应该不会有错误。 还有什么方法或软件可以表征vasp计算结果中的电荷密度分布？ 谢谢啦！ [ Last edited by wuchenwf on 2009-6-23 at 19:41 ] |
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zxzj05(金币+1,VIP+0):3ks 3-4 12:55
hadone(金币+1,VIP+0):谢谢，我试试。应该不是优化结构的差别。 3-4 13:46
zxzj05(金币+1,VIP+0):3ks 3-4 12:55
hadone(金币+1,VIP+0):谢谢，我试试。应该不是优化结构的差别。 3-4 13:46
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你好，你是不是忽视了优化结构和初始结构之间的差距，电荷密度对应于优化结构的坐标吧? 我一般用vesta看，把OUTCAR和CHGCAR放到同一个文件夹中，就可以同时看到原子坐标和电荷密度分布。 vesta见http://www.geocities.jp/kmo_mma/crystal/en/vesta.html |
2楼2009-03-04 10:28:51
3楼2009-03-04 15:07:14
4楼2009-03-04 15:09:13
5楼2009-03-04 20:00:49
6楼2009-03-16 10:40:03
chemofish
木虫 (正式写手)
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- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
7楼2009-03-17 23:26:08
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