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[求助]关于vasp计算的电子密度分布
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我用vasp计算得到的CHGCAR,然后用VMD来查看自旋电荷密度差分布。结果得到的结果是电荷密度差位置和相应的原子位置有偏移。直接看电荷密度分布没问题(无论是上自旋还是下自旋)。我想问的是,VMD在表征自旋电荷密度差上会有问题么?因为计算参数是从文献上得来的。计算结果应该不会有错误。 还有什么方法或软件可以表征vasp计算结果中的电荷密度分布? 谢谢啦! [ Last edited by wuchenwf on 2009-6-23 at 19:41 ] |
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6楼2009-03-16 10:40:03
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zxzj05(金币+1,VIP+0):3ks 3-4 12:55
hadone(金币+1,VIP+0):谢谢,我试试。应该不是优化结构的差别。 3-4 13:46
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你好,你是不是忽视了优化结构和初始结构之间的差距,电荷密度对应于优化结构的坐标吧? 我一般用vesta看,把OUTCAR和CHGCAR放到同一个文件夹中,就可以同时看到原子坐标和电荷密度分布。 vesta见http://www.geocities.jp/kmo_mma/crystal/en/vesta.html |
2楼2009-03-04 10:28:51
3楼2009-03-04 15:07:14
4楼2009-03-04 15:09:13













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