NDR效应（负微分电阻效应）是指在一些电压区域，在电压与电流关系图中，电流的导数为负。即电压高时电流反而小了。
在一些文献上，常用Transmission的峰来解释这些负微分效应，当然那是没有涉及至里面的微观机制。
下面是小木虫群上，沙漠之鹰看到的一段解释：
they concluded that the NDR behavior
appears because of the bias-driven electronic structure change
from one class of insulating phase to another through an
exceedingly delocalized conducting phase. The quantum transport
properties of a chain molecule were investigated by
Emberly et al.29 In their tight binding formalism, they concluded
that a saturation in net current through a molecular wire creates
a charge density wave and, as a consequence, weakening of
some molecular bonds take place. At a specific level of bond
weakening, the current through the molecular wire decreases
with the increase in bias, which in turn is responsible for the
NDR behavior of the system.
NDR的成因比较复杂 针对不同的体系有不同的解释
J Chen ,M A Reed ,A M Rawlett ,et al. Science ,1999 ,286 :1550-1552.）对于硝铵基取代的OPE分子而言，由于硝氨基的取代LUMO轨道的扩展性随外来电子的注入发生变化导致电子传导能力的变化形成负微分电阻效应。这里，氨基的取代十分重要因为没有取代的情况是没有NDR的。
C G Zeng ,H Q Wang ,B Wang ,et al. Appl. Phys. Lett , 2000 ,77(22) :3595-3597.他们认为负微分电阻效应是由C60分子Fermi能级附近狭长的LDOS在不同的偏压下对应性变化所致。此时，分子本身的电子结构是NDR的主要原因，并不要借助外界取代或掺杂。碳管的NDR也是一个道理，依靠自身。[16] A A Farajian ,K Esfarjani and Y Kawazoe. Phys. Rev.Lett. 1999, 82(25) :5084-5087.
对于简单的原子线原子团簇来说，由于自身结构简单没有特殊性质，所以其负微分电阻效应的形成原因主要表现在与左右电极的耦合匹配上， B Larade ,J Taylor ,H Mehrez ,et al. Phys. Rev.B. 2001 ,64(7) :75420-75429. C Roland ,V Meunier ,B Larade,et al. Phys. Rev.B. 2002 ,66(3) :35332-35338.
返回小木虫查看更多
京公网安备 11010802022153号
NDR效应（负微分电阻效应）是指在一些电压区域，在电压与电流关系图中，电流的导数为负。即电压高时电流反而小了。
在一些文献上，常用Transmission的峰来解释这些负微分效应，当然那是没有涉及至里面的微观机制。
下面是小木虫群上，沙漠之鹰看到的一段解释：
they concluded that the NDR behavior
appears because of the bias-driven electronic structure change
from one class of insulating phase to another through an
exceedingly delocalized conducting phase. The quantum transport
properties of a chain molecule were investigated by
Emberly et al.29 In their tight binding formalism, they concluded
that a saturation in net current through a molecular wire creates
a charge density wave and, as a consequence, weakening of
some molecular bonds take place. At a specific level of bond
weakening, the current through the molecular wire decreases
with the increase in bias, which in turn is responsible for the
NDR behavior of the system.
hehe,这个yuan888和沙漠之鹰是双胞胎(*^__^*) ，多谢罗的解释
仅供参考：
负微分电阻(NDR) ,通常在金属半导体型异质结会出现NDR.NDR的出现是因为抑制了一个电子通道进入窗口 fB ( E) —fA ( E) ,因此导致了电导的减小。
负微分电阻效应可用于Esaki隧道二极管 在快速开关、震荡器和锁频电路方面有着广泛的应用。
NDR的成因比较复杂 针对不同的体系有不同的解释
J Chen ,M A Reed ,A M Rawlett ,et al. Science ,1999 ,286 :1550-1552.）对于硝铵基取代的OPE分子而言，由于硝氨基的取代LUMO轨道的扩展性随外来电子的注入发生变化导致电子传导能力的变化形成负微分电阻效应。这里，氨基的取代十分重要因为没有取代的情况是没有NDR的。
C G Zeng ,H Q Wang ,B Wang ,et al. Appl. Phys. Lett , 2000 ,77(22) :3595-3597.他们认为负微分电阻效应是由C60分子Fermi能级附近狭长的LDOS在不同的偏压下对应性变化所致。此时，分子本身的电子结构是NDR的主要原因，并不要借助外界取代或掺杂。碳管的NDR也是一个道理，依靠自身。[16] A A Farajian ,K Esfarjani and Y Kawazoe. Phys. Rev.Lett. 1999, 82(25) :5084-5087.
对于简单的原子线原子团簇来说，由于自身结构简单没有特殊性质，所以其负微分电阻效应的形成原因主要表现在与左右电极的耦合匹配上， B Larade ,J Taylor ,H Mehrez ,et al. Phys. Rev.B. 2001 ,64(7) :75420-75429. C Roland ,V Meunier ,B Larade,et al. Phys. Rev.B. 2002 ,66(3) :35332-35338.
当然这些只是一部分解释，当你的计算结果显示出NDR 那么依据你自己的体系去寻求相关体系的解释 应该有帮助，
楼上说的很有道理赞一个
嗯谢谢大家
二楼的 你太搞笑了 我就是沙漠之鹰 呵呵
STM实验中，NDR主要是由于STM针尖在费米能级附近的态密度的局域峰引起的，而分子器件中，来源于体系的电子结构乃至原子结构在偏压下的变化。
这篇综述有一段关于NDR的起因的探讨。
nature nanotechnology v１，１７３（２００６）