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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料工程 » 其他 » 硅片上的氧化硅漏电
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530557847

新虫 (初入文坛)

[求助] 硅片上的氧化硅漏电 已有3人参与

热生长了一层氧化硅的进口硅片，经过丙酮、酒精、去离子水各超声15分钟后，用氮气吹干。接着在上面用磁控溅射镀一层ZnO膜，再在上面真空热蒸发镀一层Al膜。或者直接只镀一层Al膜。发现这两个情况都经常出现氧化硅层绝缘性破坏的情况，也就是说上面的Al跟下面的Si直接导通了，氧化硅在中间起不了绝缘作用，漏电流特别大导致实验进行不了。百思不得其解，非常困惑中。有没有哪位前辈了解这样的情况，跪求指导。
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1楼 2015-05-21 18:10:07
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windsuk2011

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

我也遇到过漏电的情况，别人告诉我会不会是溅射时，Al膜和硅片的侧面接触，不过我的情况是没有接触，所以也比较纠结到底是什么原因，到现在也没解决。。。不过不知道你怎么样？
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2楼2015-05-26 09:03:47
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530557847

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by windsuk2011 at 2015-05-26 09:03:47
我也遇到过漏电的情况，别人告诉我会不会是溅射时，Al膜和硅片的侧面接触，不过我的情况是没有接触，所以也比较纠结到底是什么原因，到现在也没解决。。。不过不知道你怎么样？

可以加您的QQ交流一下吗？我的：530557847
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3楼2015-05-26 10:44:03
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恒爱琳

铁杆木虫 (正式写手)

觉者
氧化硅厚度问题？
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为学日益为道日损
4楼2015-05-26 15:24:38
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zlyama366

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

ZnO膜在形成膜之前，一部分的与氧化硅混合了。
真空蒸镀Al膜时也形成约5nm的氧化铝膜的。
把硅片上的氧化硅膜做厚。
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5楼2015-05-30 14:56:51
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闲着的哲人

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

很好的问题，可能是ZnO太薄了，一两百nm应该能导通的。这个问题之前没考虑过，楼主找到答案一定要告诉我一声哦
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6楼2015-06-07 22:22:18
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530557847

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by zlyama366 at 2015-05-30 14:56:51
ZnO膜在形成膜之前，一部分的与氧化硅混合了。
真空蒸镀Al膜时也形成约5nm的氧化铝膜的。
把硅片上的氧化硅膜做厚。

我买回来的硅片已经长了氧化硅，300nm。前辈您认为还不够厚是吗？会不会存在厚度不均匀的情况
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7楼2015-06-08 18:41:47
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530557847

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 闲着的哲人 at 2015-06-07 22:22:18
很好的问题，可能是ZnO太薄了，一两百nm应该能导通的。这个问题之前没考虑过，楼主找到答案一定要告诉我一声哦

我的ZnO是高阻的，用万用表测，会超量程。而Al与Si导通，应该是Al与Si短路，与ZnO无关。现在我把Al做在ZnO上面，不让Al与SiO2接触，这样貌似就解决了Al与Si导通的问题。但测试时，绝缘层漏电流还是很大。
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8楼2015-06-08 18:47:38
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liqingyan216

新虫 (初入文坛)
老铁问题解决了吗？

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9楼2018-12-20 20:35:43
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