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530557847

新虫 (初入文坛)

[求助] 硅片上的氧化硅漏电 已有3人参与

热生长了一层氧化硅的进口硅片,经过丙酮、酒精、去离子水各超声15分钟后,用氮气吹干。接着在上面用磁控溅射镀一层ZnO膜,再在上面真空热蒸发镀一层Al膜。或者直接只镀一层Al膜。发现这两个情况都经常出现氧化硅层绝缘性破坏的情况,也就是说上面的Al跟下面的Si直接导通了,氧化硅在中间起不了绝缘作用,漏电流特别大导致实验进行不了。百思不得其解,非常困惑中。有没有哪位前辈了解这样的情况,跪求指导。
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530557847

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by windsuk2011 at 2015-05-26 09:03:47
我也遇到过漏电的情况,别人告诉我会不会是溅射时,Al膜和硅片的侧面接触,不过我的情况是没有接触,所以也比较纠结到底是什么原因,到现在也没解决。。。不过不知道你怎么样?

可以加您的QQ交流一下吗?我的:530557847
3楼2015-05-26 10:44:03
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windsuk2011

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

我也遇到过漏电的情况,别人告诉我会不会是溅射时,Al膜和硅片的侧面接触,不过我的情况是没有接触,所以也比较纠结到底是什么原因,到现在也没解决。。。不过不知道你怎么样?
2楼2015-05-26 09:03:47
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恒爱琳

铁杆木虫 (正式写手)

觉者

氧化硅厚度问题?
为学日益为道日损
4楼2015-05-26 15:24:38
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zlyama366

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

ZnO膜在形成膜之前,一部分的与氧化硅混合了。
真空蒸镀Al膜时也形成约5nm的氧化铝膜的。
把硅片上的氧化硅膜做厚。
5楼2015-05-30 14:56:51
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