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硅片上的氧化硅漏电 已有3人参与
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| 热生长了一层氧化硅的进口硅片，经过丙酮、酒精、去离子水各超声15分钟后，用氮气吹干。接着在上面用磁控溅射镀一层ZnO膜，再在上面真空热蒸发镀一层Al膜。或者直接只镀一层Al膜。发现这两个情况都经常出现氧化硅层绝缘性破坏的情况，也就是说上面的Al跟下面的Si直接导通了，氧化硅在中间起不了绝缘作用，漏电流特别大导致实验进行不了。百思不得其解，非常困惑中。有没有哪位前辈了解这样的情况，跪求指导。 |
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