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硅片上的氧化硅漏电
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530557847
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专业: 半导体材料
[
求助
]
硅片上的氧化硅漏电
已有3人参与
热生长了一层氧化硅的进口硅片,经过丙酮、酒精、去离子水各超声15分钟后,用氮气吹干。接着在上面用磁控溅射镀一层ZnO膜,再在上面真空热蒸发镀一层Al膜。或者直接只镀一层Al膜。发现这两个情况都经常出现氧化硅层绝缘性破坏的情况,也就是说上面的Al跟下面的Si直接导通了,氧化硅在中间起不了绝缘作用,漏电流特别大导致实验进行不了。百思不得其解,非常困惑中。有没有哪位前辈了解这样的情况,跪求指导。
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1楼
2015-05-21 18:10:07
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liqingyan216
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老铁问题解决了吗?
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9楼
2018-12-20 20:35:43
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windsuk2011
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专业: 半导体材料
【答案】应助回帖
我也遇到过漏电的情况,别人告诉我会不会是溅射时,Al膜和硅片的侧面接触,不过我的情况是没有接触,所以也比较纠结到底是什么原因,到现在也没解决。。。不过不知道你怎么样?
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2楼
2015-05-26 09:03:47
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专业: 半导体材料
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2楼
:
Originally posted by
windsuk2011
at 2015-05-26 09:03:47
我也遇到过漏电的情况,别人告诉我会不会是溅射时,Al膜和硅片的侧面接触,不过我的情况是没有接触,所以也比较纠结到底是什么原因,到现在也没解决。。。不过不知道你怎么样?
可以加您的QQ交流一下吗?我的:530557847
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3楼
2015-05-26 10:44:03
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恒爱琳
铁杆木虫
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注册: 2013-09-28
性别: GG
专业: 概率论与随机分析
氧化硅厚度问题?
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为学日益为道日损
4楼
2015-05-26 15:24:38
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