| 查看: 4369 | 回复: 16 | ||||||
[交流]
氩气用于等离子刻蚀、等离子清洗,离子束刻蚀的比较
|
||||||
|
我想各位同志一定用过等离子刻蚀、等离子清洗和离子束刻蚀,或者其中的某一个,这三个仪器都可以用氩气作为气体源。所以,我很想知道,这三个有什么区别,都各自用在什么地方,怎么更好的利用这三个仪器。 请走过路过的朋友们都说说自己用的仪器以及对仪器的认识哈。 |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
薄膜材料的表征 | 科研设备设施 | 薄膜材料和器件制备 |
» 猜你喜欢
招博士
已经有6人回复
限项规定
已经有8人回复
国家基金申请书模板内插入图片不可调整大小?
已经有5人回复
交叉科学部支持青年基金,对三无青椒是个机会吗?
已经有3人回复
国家级人才课题组招收2026年入学博士
已经有5人回复
Fe3O4@SiO2合成
已经有6人回复
青年基金C终止
已经有4人回复
青椒八年已不青,大家都被折磨成啥样了?
已经有7人回复
为什么nbs上溴 没有产物点出现呢
已经有10人回复
救命帖
已经有11人回复
» 抢金币啦!回帖就可以得到:
nanomaterials特刊:纳米材料在电化学能源领域的应用(SCI 中科院三区,IF4.5)征稿
+5/240
西北工业大学民航学院复合材料领域招聘两名博后
+1/81
“超分子材料交叉研究团队”联合诚聘博士后 [清华/吉大/复旦/北大]
+1/79
西北工业大学民航学院招博士与硕士复合材料方向
+1/79
【2026/2027 哈工大计算机类博士招生】
+1/78
深圳大学信息功能聚合物电介质方向“申请-考核制”博士生招生
+1/75
关于本子打包
+1/69
招收博士生(大连理工大学,2026.09入学)
+1/49
南开大学物理学院张书辉副教授招收凝聚态物理理论方向博士生、硕士生
+1/30
【青岛大学】2026年生物与医药博士生招生(含少数民族骨干人才)
+1/28
华中科技大学周英教授招博后
+1/27
武汉大学博士生/直博生招聘(微纳光驱动与片上光子学)
+5/20
哈尔滨工业大学航天学院招硕士生!!!
+1/9
【博士后/科研助理招聘-北京理工大学-集成电路与电子学院-国家杰青团队】
+1/4
澳科大诚招2026年秋季生物材料全奖博士研究生(今日16:30线上宣讲会)
+1/4
山东大学集成电路学院太赫兹团队博士招生(2026年2月底前)
+1/4
顾敏院士课题组招收2026级光学工程专业博士研究生-上海理工大学智能科技学院
+1/3
标准求助 SN/T 5263-2020悬赏10个金币
+1/2
厦门大学航空航天学院 航空宇航结构强度团队 2026“申请-考核制”博士研究生招生
+1/2
浙江大学 “分子智造”课题组 诚聘 博士后及科研助理
+1/1
11楼2014-04-18 19:30:14
★
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
|
等离子体刻蚀根据工作气体成分与样品是否作用分为物理溅射刻蚀,化学反应刻蚀和离子辅助刻蚀三类,由于你用的氩气为惰性气体,难以与其他材料发生反应,因此主要是一种物理溅射刻蚀,高能离子或者原子与样品表面碰撞,样品表面结构将会被破坏,样品材料的原子将会从样品表面脱附离开。等离子体刻蚀主要用于抛光或者图形化,这个主要利用的是等离子体中的离子或者一些活性基团,对材料的作用具有一定深度。一般的,抛光的话,对粒子的能量和密度要求可能相对较高,而图形化则相对较低,但是其对粒子的能量和密度的控制要求可能更高,这个得看具体的材料,如金刚石膜的图形化与硅片的图形化就不一样。 等离子体清洗的话,主要是通过等离子体处理样品的表面,这个作用程度相对要弱一点,对粒子的能量和密度要求相对不是很高,主要是为了清理样品表面的污染物或者吸附的其他杂质。 而离子束刻蚀的话,其实很多离子源都是基于等离子体源开发出来的,所以很多文献都将两者混同,只不过每个人的叫法不同而已,刻蚀对象大部分相同。 |
6楼2013-06-07 11:43:01
13楼2014-04-19 17:45:20
2楼2013-06-04 01:54:23
3楼2013-06-04 10:33:12
★
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
|
本帖内容被屏蔽 |
4楼2013-06-06 10:52:01
5楼2013-06-07 01:48:47
|
各位回答的都很好,我也自己去调研了一下,得到了如下的结论,和大家一起分享。 一般的刻蚀方法有:反应离子刻蚀RIE,等离子体清洗、刻蚀PE,离子束刻蚀IBE。反应离子刻蚀,顾名思义,就是利用活性气体通过四个过程进行样品表面加工,物理溅射、离子反应、产生自由基、自由基反应。所以RIE可以简单的归纳为离子轰击辅助的化学反应过程。主要控制的参量有反应气体流速、放电功率、反应室气压、样品材料表面温度等。 等离子体清洗、刻蚀Plasma Etching,主要是化学刻蚀,因为样品是放在阳极表面的,而清洗和刻蚀的区别,主要是看阳极板的大小,阳极板大的,用于清洗,阳极板小的用于刻蚀;参数桐RIE类似。 最后的离子束刻蚀是一个纯粹的物理刻蚀过程,一般的气体源都是惰性气体,就是用惰性离子去轰击样品表面,值得注意的是,IBE对金属、光刻胶等的刻蚀速率都很高。不过适当选择离子能量和束流还是可以得到期望的结果的。 |
7楼2013-06-07 12:50:50
8楼2013-06-07 14:02:06
10楼2014-04-18 15:07:31
12楼2014-04-19 10:17:57
14楼2014-05-28 09:15:59
15楼2014-05-28 10:21:47
16楼2015-08-18 10:39:15
17楼2016-02-16 20:44:56
简单回复
haixiawu9楼
2013-06-14 00:49
回复













回复此楼