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[交流]
氩气用于等离子刻蚀、等离子清洗，离子束刻蚀的比较
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我想各位同志一定用过等离子刻蚀、等离子清洗和离子束刻蚀，或者其中的某一个，这三个仪器都可以用氩气作为气体源。所以，我很想知道，这三个有什么区别，都各自用在什么地方，怎么更好的利用这三个仪器。 请走过路过的朋友们都说说自己用的仪器以及对仪器的认识哈。 |
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hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
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等离子体刻蚀根据工作气体成分与样品是否作用分为物理溅射刻蚀，化学反应刻蚀和离子辅助刻蚀三类，由于你用的氩气为惰性气体，难以与其他材料发生反应，因此主要是一种物理溅射刻蚀，高能离子或者原子与样品表面碰撞，样品表面结构将会被破坏，样品材料的原子将会从样品表面脱附离开。等离子体刻蚀主要用于抛光或者图形化，这个主要利用的是等离子体中的离子或者一些活性基团，对材料的作用具有一定深度。一般的，抛光的话，对粒子的能量和密度要求可能相对较高，而图形化则相对较低，但是其对粒子的能量和密度的控制要求可能更高，这个得看具体的材料，如金刚石膜的图形化与硅片的图形化就不一样。 等离子体清洗的话，主要是通过等离子体处理样品的表面，这个作用程度相对要弱一点，对粒子的能量和密度要求相对不是很高，主要是为了清理样品表面的污染物或者吸附的其他杂质。 而离子束刻蚀的话，其实很多离子源都是基于等离子体源开发出来的，所以很多文献都将两者混同，只不过每个人的叫法不同而已，刻蚀对象大部分相同。 |
6楼2013-06-07 11:43:01
2楼2013-06-04 01:54:23
3楼2013-06-04 10:33:12
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hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
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本帖内容被屏蔽 |
4楼2013-06-06 10:52:01
