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[交流]
氩气用于等离子刻蚀、等离子清洗，离子束刻蚀的比较
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我想各位同志一定用过等离子刻蚀、等离子清洗和离子束刻蚀，或者其中的某一个，这三个仪器都可以用氩气作为气体源。所以，我很想知道，这三个有什么区别，都各自用在什么地方，怎么更好的利用这三个仪器。 请走过路过的朋友们都说说自己用的仪器以及对仪器的认识哈。 |
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 薄膜材料的表征 | 科研设备设施 | 薄膜材料和器件制备 |
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各位回答的都很好，我也自己去调研了一下，得到了如下的结论，和大家一起分享。 一般的刻蚀方法有：反应离子刻蚀RIE，等离子体清洗、刻蚀PE，离子束刻蚀IBE。反应离子刻蚀，顾名思义，就是利用活性气体通过四个过程进行样品表面加工，物理溅射、离子反应、产生自由基、自由基反应。所以RIE可以简单的归纳为离子轰击辅助的化学反应过程。主要控制的参量有反应气体流速、放电功率、反应室气压、样品材料表面温度等。 等离子体清洗、刻蚀Plasma Etching，主要是化学刻蚀，因为样品是放在阳极表面的，而清洗和刻蚀的区别，主要是看阳极板的大小，阳极板大的，用于清洗，阳极板小的用于刻蚀；参数桐RIE类似。 最后的离子束刻蚀是一个纯粹的物理刻蚀过程，一般的气体源都是惰性气体，就是用惰性离子去轰击样品表面，值得注意的是，IBE对金属、光刻胶等的刻蚀速率都很高。不过适当选择离子能量和束流还是可以得到期望的结果的。 |
7楼2013-06-07 12:50:50
2楼2013-06-04 01:54:23
3楼2013-06-04 10:33:12
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hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
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本帖内容被屏蔽 |
4楼2013-06-06 10:52:01
