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[交流]
氩气用于等离子刻蚀、等离子清洗，离子束刻蚀的比较
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我想各位同志一定用过等离子刻蚀、等离子清洗和离子束刻蚀，或者其中的某一个，这三个仪器都可以用氩气作为气体源。所以，我很想知道，这三个有什么区别，都各自用在什么地方，怎么更好的利用这三个仪器。 请走过路过的朋友们都说说自己用的仪器以及对仪器的认识哈。 |
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11楼2014-04-18 19:30:14
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hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
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等离子体刻蚀根据工作气体成分与样品是否作用分为物理溅射刻蚀，化学反应刻蚀和离子辅助刻蚀三类，由于你用的氩气为惰性气体，难以与其他材料发生反应，因此主要是一种物理溅射刻蚀，高能离子或者原子与样品表面碰撞，样品表面结构将会被破坏，样品材料的原子将会从样品表面脱附离开。等离子体刻蚀主要用于抛光或者图形化，这个主要利用的是等离子体中的离子或者一些活性基团，对材料的作用具有一定深度。一般的，抛光的话，对粒子的能量和密度要求可能相对较高，而图形化则相对较低，但是其对粒子的能量和密度的控制要求可能更高，这个得看具体的材料，如金刚石膜的图形化与硅片的图形化就不一样。 等离子体清洗的话，主要是通过等离子体处理样品的表面，这个作用程度相对要弱一点，对粒子的能量和密度要求相对不是很高，主要是为了清理样品表面的污染物或者吸附的其他杂质。 而离子束刻蚀的话，其实很多离子源都是基于等离子体源开发出来的，所以很多文献都将两者混同，只不过每个人的叫法不同而已，刻蚀对象大部分相同。 |
6楼2013-06-07 11:43:01
13楼2014-04-19 17:45:20
2楼2013-06-04 01:54:23
3楼2013-06-04 10:33:12
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hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
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本帖内容被屏蔽 |
4楼2013-06-06 10:52:01
5楼2013-06-07 01:48:47
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各位回答的都很好，我也自己去调研了一下，得到了如下的结论，和大家一起分享。 一般的刻蚀方法有：反应离子刻蚀RIE，等离子体清洗、刻蚀PE，离子束刻蚀IBE。反应离子刻蚀，顾名思义，就是利用活性气体通过四个过程进行样品表面加工，物理溅射、离子反应、产生自由基、自由基反应。所以RIE可以简单的归纳为离子轰击辅助的化学反应过程。主要控制的参量有反应气体流速、放电功率、反应室气压、样品材料表面温度等。 等离子体清洗、刻蚀Plasma Etching，主要是化学刻蚀，因为样品是放在阳极表面的，而清洗和刻蚀的区别，主要是看阳极板的大小，阳极板大的，用于清洗，阳极板小的用于刻蚀；参数桐RIE类似。 最后的离子束刻蚀是一个纯粹的物理刻蚀过程，一般的气体源都是惰性气体，就是用惰性离子去轰击样品表面，值得注意的是，IBE对金属、光刻胶等的刻蚀速率都很高。不过适当选择离子能量和束流还是可以得到期望的结果的。 |
7楼2013-06-07 12:50:50
8楼2013-06-07 14:02:06
10楼2014-04-18 15:07:31
12楼2014-04-19 10:17:57
14楼2014-05-28 09:15:59
15楼2014-05-28 10:21:47
16楼2015-08-18 10:39:15
17楼2016-02-16 20:44:56
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haixiawu9楼
2013-06-14 00:49
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