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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » [求助]磁控溅射制备SiN，用的是射频电源，有辉光，但溅射不上
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sarahzyp

金虫 (小有名气)

[求助] [求助]磁控溅射制备SiN，用的是射频电源，有辉光，但溅射不上

有没有人用过Si3N4磁控溅射靶材指点一下，我用射频电源，接在强磁靶上，起辉了，但发现无法沉积在基片上，这是为什么？是不是靶面和基片表面的距离不对？我的是约70mm。
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1楼 2012-10-07 10:04:39
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊
引用回帖:
7楼: Originally posted by zpawl at 2012-10-09 18:00:35
我们现在在尝试做磁性材料，但是有的磁性靶材溅射不出来，即使做薄也不好使，你有好办法么？...

如果我没有理解错的话，靶材本身就带有磁性，对吗？这个时候靶材本身的磁性就会对磁控溅射靶上面的磁场位型产生影响。正常来说，磁控溅射靶上面的磁场应该是一个会切场，可以让电子回转与溅射气体原子碰撞进而撞击靶材表面，而当位型发生改变时，可能粒子就不能全部撞击到靶材或者说效率很低，这样自然就难以溅射成膜！

我不清楚你做什么磁性材料，有没有什么化学方法形成这种材料呢？
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趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！
9楼2012-10-09 20:19:25
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zwy198759

新虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+2, 3q 2012-10-07 18:54:12
首先，薄膜沉积在基片上用肉眼是不好判断的。最好去做个SEM表面或者截面。
如果你是用反应磁控溅射溅射的话，最好不要把N通的太多。同时，溅射功率和溅射气压（氩气）加大一点试试。
如果是直接用陶瓷靶溅射的话，把功率和溅射气压加大，同时可以把靶基距减小到5cm。
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2楼2012-10-07 10:47:21
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+2, 3x 2012-10-07 18:54:26
请告诉我你用的是什么气体？
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体，无法沉积是正常的，因为Si的溅射阈值很高，而N2的电离后主要成分为N2+，质量相对偏低，无法产生足够的动量去轰击Si靶，此时可以考虑混入50%的氩气；如果已经掺入氩气而无法沉积薄膜，则可能是射频功率太低，个人认为靶基距离是7cm还是5cm影响不大！
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趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！
3楼2012-10-07 12:02:59
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zpawl

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by leongoall at 2012-10-07 12:02:59
请告诉我你用的是什么气体？
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体，无法沉积是正常的，因为Si的溅射阈值很高，而N2的电离后主要成分为N2+，质量相对偏低，无法产生足够的动量去轰击Si靶，此时可以考虑混入50%的 ...

2楼的虫友有没有做过磁性靶材的溅射呀？
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4楼2012-10-09 10:24:55
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