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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » [求助]磁控溅射制备SiN，用的是射频电源，有辉光，但溅射不上
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sarahzyp

金虫 (小有名气)

[求助] [求助]磁控溅射制备SiN，用的是射频电源，有辉光，但溅射不上

有没有人用过Si3N4磁控溅射靶材指点一下，我用射频电源，接在强磁靶上，起辉了，但发现无法沉积在基片上，这是为什么？是不是靶面和基片表面的距离不对？我的是约70mm。
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1楼 2012-10-07 10:04:39
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zpawl

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by leongoall at 2012-10-09 12:53:17
你是在问我吗？但我所在的楼层为三楼，不是2楼！

我自己没做过磁性靶材的溅射，请问有何指教呢？...

我们现在在尝试做磁性材料，但是有的磁性靶材溅射不出来，即使做薄也不好使，你有好办法么？
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7楼2012-10-09 18:00:35
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zwy198759

新虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+2, 3q 2012-10-07 18:54:12
首先，薄膜沉积在基片上用肉眼是不好判断的。最好去做个SEM表面或者截面。
如果你是用反应磁控溅射溅射的话，最好不要把N通的太多。同时，溅射功率和溅射气压（氩气）加大一点试试。
如果是直接用陶瓷靶溅射的话，把功率和溅射气压加大，同时可以把靶基距减小到5cm。
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2楼2012-10-07 10:47:21
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+2, 3x 2012-10-07 18:54:26
请告诉我你用的是什么气体？
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体，无法沉积是正常的，因为Si的溅射阈值很高，而N2的电离后主要成分为N2+，质量相对偏低，无法产生足够的动量去轰击Si靶，此时可以考虑混入50%的氩气；如果已经掺入氩气而无法沉积薄膜，则可能是射频功率太低，个人认为靶基距离是7cm还是5cm影响不大！
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趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！
3楼2012-10-07 12:02:59
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zpawl

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by leongoall at 2012-10-07 12:02:59
请告诉我你用的是什么气体？
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体，无法沉积是正常的，因为Si的溅射阈值很高，而N2的电离后主要成分为N2+，质量相对偏低，无法产生足够的动量去轰击Si靶，此时可以考虑混入50%的 ...

2楼的虫友有没有做过磁性靶材的溅射呀？
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4楼2012-10-09 10:24:55
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