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sarahzyp

金虫 (小有名气)

[求助] [求助]磁控溅射制备SiN,用的是射频电源,有辉光,但溅射不上

有没有人用过Si3N4磁控溅射靶材指点一下,我用射频电源,接在强磁靶上,起辉了,但发现无法沉积在基片上,这是为什么?是不是靶面和基片表面的距离不对?我的是约70mm。
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sarahzyp

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by zwy198759 at 2012-10-07 10:47:21
首先,薄膜沉积在基片上用肉眼是不好判断的。最好去做个SEM表面或者截面。
如果你是用反应磁控溅射溅射的话,最好不要把N通的太多。同时,溅射功率和溅射气压(氩气)加大一点试试。
如果是直接用陶瓷靶溅射的话, ...

谢谢! 我用的是陶瓷靶材,用Ar气,溅射气压0.6Pa,靶基距调不了,我试一下把功率加大。
6楼2012-10-09 15:15:16
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zwy198759

新虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+2, 3q 2012-10-07 18:54:12
首先,薄膜沉积在基片上用肉眼是不好判断的。最好去做个SEM表面或者截面。
如果你是用反应磁控溅射溅射的话,最好不要把N通的太多。同时,溅射功率和溅射气压(氩气)加大一点试试。
如果是直接用陶瓷靶溅射的话,把功率和溅射气压加大,同时可以把靶基距减小到5cm。
2楼2012-10-07 10:47:21
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+2, 3x 2012-10-07 18:54:26
请告诉我你用的是什么气体?
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体,无法沉积是正常的,因为Si的溅射阈值很高,而N2的电离后主要成分为N2+,质量相对偏低,无法产生足够的动量去轰击Si靶,此时可以考虑混入50%的氩气;如果已经掺入氩气而无法沉积薄膜,则可能是射频功率太低,个人认为靶基距离是7cm还是5cm影响不大!
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
3楼2012-10-07 12:02:59
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zpawl

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by leongoall at 2012-10-07 12:02:59
请告诉我你用的是什么气体?
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体,无法沉积是正常的,因为Si的溅射阈值很高,而N2的电离后主要成分为N2+,质量相对偏低,无法产生足够的动量去轰击Si靶,此时可以考虑混入50%的 ...

2楼的虫友有没有做过磁性靶材的溅射呀?
4楼2012-10-09 10:24:55
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