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[求助]磁控溅射制备SiN,用的是射频电源,有辉光,但溅射不上
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sarahzyp
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专业: 金属功能材料
[
求助
]
[求助]磁控溅射制备SiN,用的是射频电源,有辉光,但溅射不上
有没有人用过Si3N4磁控溅射靶材指点一下,我用射频电源,接在强磁靶上,起辉了,但发现无法沉积在基片上,这是为什么?是不是靶面和基片表面的距离不对?我的是约70mm。
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1楼
2012-10-07 10:04:39
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zwy198759
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【答案】应助回帖
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7楼
:
Originally posted by
zpawl
at 2012-10-09 18:00:35
我们现在在尝试做磁性材料,但是有的磁性靶材溅射不出来,即使做薄也不好使,你有好办法么?...
你在买靶材的时候就要注意,比如铁啊什么的很容易被磁化,就溅射不上,因为铁被磁化了产生磁场把靶的磁场给屏蔽了。我们这么做磁性靶材的溅射,都是把靶材利用线切割(最好是活泼的金属,不然腐蚀起来很慢,半天也切不了1mm.)切成0.2mm厚的,就能做了,但是效果不是很理想。
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10楼
2012-10-09 21:30:33
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zwy198759
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【答案】应助回帖
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2012-10-07 18:54:12
首先,薄膜沉积在基片上用肉眼是不好判断的。最好去做个SEM表面或者截面。
如果你是用反应磁控溅射溅射的话,最好不要把N通的太多。同时,溅射功率和溅射气压(氩气)加大一点试试。
如果是直接用陶瓷靶溅射的话,把功率和溅射气压加大,同时可以把靶基距减小到5cm。
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2楼
2012-10-07 10:47:21
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leongoall
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专业: 等离子体物理
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2012-10-07 18:54:26
请告诉我你用的是什么气体?
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体,无法沉积是正常的,因为Si的溅射阈值很高,而N2的电离后主要成分为N2+,质量相对偏低,无法产生足够的动量去轰击Si靶,此时可以考虑混入50%的氩气;如果已经掺入氩气而无法沉积薄膜,则可能是射频功率太低,个人认为靶基距离是7cm还是5cm影响不大!
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趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
3楼
2012-10-07 12:02:59
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zpawl
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3楼
:
Originally posted by
leongoall
at 2012-10-07 12:02:59
请告诉我你用的是什么气体?
如果用的是纯氮气作为溅射气体和反应气体,无法沉积是正常的,因为Si的溅射阈值很高,而N2的电离后主要成分为N2+,质量相对偏低,无法产生足够的动量去轰击Si靶,此时可以考虑混入50%的 ...
2楼的虫友有没有做过磁性靶材的溅射呀?
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4楼
2012-10-09 10:24:55
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