| 查看: 855 | 回复: 1 | ||
六月彩空木虫 (小有名气)
|
[求助]
工作距离（WD）对电子束刻蚀图形的影响原理是什么？
|
| 求助，求助！我初学电子束刻蚀微纳米图形，在用SEM改装的电子束曝光机刻蚀图形时，发现，在其他条件不变的情况下，工作距离越小，刻蚀后表征的图形分辨率提高，这是什么原理呢？恳请各位大虾指点迷津，谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有250人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 正胶与负胶哪个更容易做lift-off，原理又是什么呢
已经有29人回复
- 光刻后腐蚀掉铁膜
已经有10人回复
- 光刻和电子束刻蚀做金属图案
已经有8人回复
- 怎样降低ITO导电玻璃表面粗糙度，或者怎样处理表面可以实现EBL刻蚀
已经有9人回复
- 如何得到有序规整排列PS微球的SEM照片
已经有24人回复
- 阴极弧蒸发和磁控溅射的本质区别是什么啊？
已经有3人回复
- 激光直写技术最小能刻到多细
已经有15人回复
- 在哪可以加工铜基微纳米结构
已经有7人回复
- IBE刻蚀孔结构不均匀问题
已经有10人回复
- 问一个Cr作模板深刻蚀SiO2和Si的问题
已经有10人回复
- 进行磁控溅射时，如果不用外部加热器，基体温度为多少
已经有19人回复
- 电子束热蒸发问题
已经有3人回复
- 硅片湿法刻蚀 怎么刻蚀不上啊？求救
已经有11人回复
- 可以用负胶做掩模刻蚀氮化硅吗？
已经有7人回复
- 【求助】请问一下光刻胶是什么东西？成分是什么？
已经有6人回复
- 【求助】请问一个利用ICP刻蚀PI的方法
已经有7人回复
- 【求助】磁控溅射靶材与衬底的距离
已经有20人回复
2楼2012-05-31 20:22:23
