碲化铋bi2te3的带隙只有0.15ev，不应该是半导体吗？那为什么它是拓扑绝缘体？
问一个特别小白的问题，最近看文献很困扰，碲化铋bi2te3的带隙只有0.15ev，不应该是半导体吗？那为什么它是拓扑绝缘体？拓扑绝缘体内部不是绝缘体吗？带隙不应该比较大吗还是说表面金属态和内部的绝缘体中和了下带隙所以带隙比较小？
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mev称为绝缘体了
，
少打几个字，称为拓扑绝缘体。这就是两个最大的不同吧