碲化铋Bi2Te3的带隙只有0.15eV，不应该是半导体吗？那它还是拓扑绝缘体？
问一个特别小白的问题，最近看文献很困扰，碲化铋Bi2Te3的带隙只有0.15eV，不应该是半导体吗？那为什么它是拓扑绝缘体？拓扑绝缘体内部不是绝缘体吗？带隙不应该比较大吗还是说表面金属态和内部的绝缘体中和了下带隙所以带隙比较小？
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属于拓扑绝缘体，带隙里有拓扑表面态
半导体的概念是有正的带隙，碲化铋算半导体，同时考虑有拓扑表面态的贡献，那就是拓扑绝缘体，一般晶体质量不高，拓扑表面态的信号会被
体态的价带信号所掩膜，所以考虑就作为半导体。如果作为薄膜材料，很薄100nm以下甚至几个单胞厚的话，比表面积大，就要结合晶体质量
考虑表面态的影响了
，